图解MOSFET的特性与参数
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
143文章
7029浏览量
212410 -
热阻
+关注
关注
1文章
106浏览量
16403 -
电参数
+关注
关注
0文章
9浏览量
8355
原文标题：干货 | MOSFET的每个特性参数都讲透了，干货满满！
文章出处：【微信号：wc_ysj，微信公众号：旺材芯片】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
传感器的动态特性和静态特性参数介绍
传感器的特性可以分为静态特性和动态特性两大类，这两类特性分别描述了传感器在不同输入条件下的输出响应特点。下面将详细介绍这两类特性的主要
电力场效应管的动态特性和主要参数
。MOSFET的动态特性及其相关参数对于理解其在电路中的行为和优化系统性能至关重要。以下是对电力MOSFET动态特性和主要
电力场效应管的静态特性和主要参数
电力场效应管（Power Field-Effect Transistor，简称Power FET），特别是其中的绝缘栅型场效应管（MOSFET），在电力电子领域具有重要地位。它们的静态特性和主要参数
MOSFET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥？
我将分享关于MOSFET中几个关键温度参数的计算方法：TJ(结温)、TA(环境温度)和TC(外壳温度)。1.MOSFET温度参数的重要性在电力电子应
MOSFET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥
在本文中，我将分享关于MOSFET中几个关键温度参数的计算方法：TJ（结温）、TA（环境温度）和TC（外壳温度）。 1. MOSFET温度参数的重要性 在电力电子应用中，温度是影响
MOSFET参数与工艺
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电子工业中的核心元件之一，其参数与工艺对于电路的性能、效率及可靠性具有至关重要的影响。以下将从MOSFET的主要参数、不同工艺类型及
MOSFET的基本结构与工作原理
的反向阻断和导通特性有明显的影响。
为分析和表述方便，定义栅极到源极（就是栅极到体端）的电压为UGS，漏极到源极的电压为UDS，流经MOSFET的电流，即流入漏极的电流为ID。
MOSFET
发表于 06-13 10:07
功率 MOSFET、其电气特性定义
应用图 4 显示了使用功率 MOSFET 应用的工作条件，其中负载电感和工作频率为参数。市场要求是（1）提高节能性，（2）降低噪音（环境考虑），（3）更小、更薄的设计。对于功率MOSFET所要求的
发表于 06-11 15:19
MOSFET的结构和工作特性
集成电路、功率电子、模拟电路等领域扮演着至关重要的角色。本文将详细阐述MOSFET的结构和工作特性，并通过数字和信息进行具体说明。
如何使用MosFET开启特性来抑制浪涌电流？
是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？
设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通过模拟感性负载，我们 CAN 控制电流
发表于 01-29 07:41
MOSFET漏极导通特性与开关过程简析
本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的过程，然后从漏极导通特性、也就是放
一文详解MOSFET的非理想特性
MOSFET的非理想特性对模拟集成电路设计具有重要影响。文章介绍了非理想特性的多个方面，包括电容、体效应、沟道长度调制、亚阈值导通、迁移率下降以及饱和速度和压敏降阈。同时，工艺、电压和温度变化也对晶体管性能产生影响。因此，在模拟
工商网监
评论