在理解PN结、二极管、光敏二极管的基础上理解三极管会更加自然。
Ube》0.5,发射结内电场减小,发射区电子进入基区,形成发射结电流,基区电子增多,这部分对应PN结正向特性。cb之间加上反向电压,增加集电结内电场,一部分进入基区的电子经过扩散再由集电结内电场抽到集电区,形成集电结电流,这部分对应PN结反向截止特性。还有一部分电子形成基极电流。如果在cb之间加上正向电压,为了能把基区电子抽到集电区,集电结内电场须存在,集电结正偏的电压不能超过0.5。
Ueb》0.5,发射结导通,发射区空穴进入基区,形成发射结电流。在cb之间加上反向电压,增加集电结内电场,进入基区的空穴抽到集电区,形成集电结电流。还有一部分空穴形成基极电流。如果在cb之间加上正向电压,为了能把基区空穴抽到集电区,集电结内电场须存在,集电结正偏的电压不能超过0.5。
正常情况下PN结反向截止电流很小,集电结几乎无电流。当发射结导通,大量电子(空穴)注入基区,使基区的少子变多,导电性能增加,所以集电结反偏也有大电流。如光敏二极管,光照时产生大量电子空穴对,使少子增加,PN结反偏电流变大;而三极管则是直接把发射区的电子(空穴)注入基区增加少子。
责任编辑人:CC
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