存储设备(主要指存储数据的半导体产品)通常分为两种类型。一种是“易失性存储器”——数据在断电时消失,如 DRAM 。另一种类型则是“非易失性存储器”——数据在断电时不会消失,这意味着数据一旦被写入,只要不进行擦除或重写,数据就不会改变。FRAM 是一种与 Flash 相同的非易失性存储器。
经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破,富士通 FRAM 产品已成功应用于智能卡及 IC 卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等工业领域,医疗设备及医疗 RFID 标签等医疗领域、胎压监测及新能源汽车电池管理系统等汽车领域等等,涉及的应用超过 200 种,几乎覆盖所有主要领域!
当前的富士通 FRAM 主要具备三大优势:高读写入耐久性、高速写入以及低功耗,这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。比如,FRAM 写入次数寿命高达 10 万亿次,而 EEPROM 仅有百万次(10^6)。富士通 FRAM 写入数据可在 150ns 内完成,速度约为 EEPROM 的 1/30,000。写入一个字节数据的功耗仅为 150nJ,约为 EEPROM 的 1/400,在电池供电应用中具有巨大的优势。
相比 EEPROM 或 SRAM FRAM 方案可以轻松解决以下问题:
1) 需要更频繁地记录数据,但受限于内存规格
2) 在写入数据时需要保护数据,以防止突然停电
3) 需要采用无电池解决方案
富士通 FRAM 应用领域 汽车
富士通 FRAM 广泛应用于汽车信息娱乐系统,如汽车导航系统和驱动器记录器。对于这些应用程序,它需要将驱动器数据实时记录到内存中。
此外,它还可用于车辆紧急呼叫系统,俗称 “eCall”。凭借写入速度快,不易挥发的特点,可保护发生事故时的驾驶数据。
FRAM 还可以用于胎压监测系统(TPMS)中的空气压力传感器的实时数据记录和电池管理系统(BMS)中的的温度传感器。
工业
现代工厂中的“电机”、“旋转编码器”、“工业机器人”和“机械”工具“往往需要全天候运行。换句话说,诸如位置数据之类的信息旋转计数被实时重复存储到内存中。因此,存储器必须具备快速存储的能力,尤其是高写入速度和读写耐久性。
此外,如果工厂发生临时断电,则未记录的停机时的准确机器位置数据可能导致产品线的重大损失。因此,需要选择具有快速记忆能力与读写速度的存储器,富士通 FRAM 是工业机器和过程监控系统的理想选择。
基础设施
富士通 FRAM 同样适合应用于众多基础设施设备。在智能电表、气表和水表中,保持数据的连续性日志记录对于稳定和安全的计费非常重要。因此,这些仪表需要半导体存储设备,以保证高读写耐久性。此外,即使发生断电,也必须确保在数据丢失之前及时写入数据。
其余基础设施设备,如 PLC、电梯、售票机和自动取款机对于内存的高读写耐久性和高速写入均有相同要求。
消费类产品
在非接触式 IC 卡等应用中,即使只有很小的电源,FRAM 也能快速工作。即使在“智能手表”等电池驱动的应用中,FRAM 也有助于延长电池寿命,降低功耗。
FRAM 已经在许多多功能打印机中采用 MFPs 来记录复制历史,在无人机中采用 MFPs 来存储飞行数据。
原文标题:三大优势直击热门应用领域,FRAM助力轻松连接万物互联世界
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