ACPL-P349/W349评估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET栅极驱动器配置分析

本手册概述了 ACPL-P349/W349 评估板的特性以及评估隔离式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 栅极驱动器所需的配置。需要目视检查以确保收到的评估板处于良好状态。

Q1 和 Q2 未安装。IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 可以安装在 Q1（对于 TO-220 封装）或 Q2（对于 TO-247 封装）或通过短线连接从 Q1 或 Q2 提供的孔连接到驱动器板

D4 和 R7 未安装（在焊接侧）。提供 D4 处的 15V 齐纳封装，以允许在需要时跨 Vcc2 和 Vee 施加 15V~30V 的单个直流电源。然后可以生成虚拟接地 Ve（在 Q1 或 Q2 的源极引脚），它充当每个 SiC/GaN MOSFET 源极引脚（或每个 IGBT 的发射极引脚）的参考点。然后 Vcc2 将保持在比虚拟地 Ve 高 15V 的位置。需要 R7 来生成 D4 上的偏置电流

S2 和 S3 跳线默认短路以将 Ve 连接到 Vee，假设不需要负电源。注意：如果需要负电源，则需要移除 S2 和 S3 跳线

自举二极管 D3b 和电阻器 R6 默认连接。假设 Vcc2a 电源可用，提供这 2 个组件以帮助通过自举生成 Vcc2b 电源。注意：自举电源仅在 Q1 或 Q2 安装在半桥配置中并通过适当的 PWM 驱动信号打开和​​关闭时才起作用

当 Vcc1 供电时，S1 默认短路以将 IN-（或 LED-，LED 的阴极）引脚接地。如果 IN- 不能接地，可以消除此短路

逆变器的上下臂将具有公共Vcc1（&Gnd1），允许Vcc1通过焊料连接在逆变器PCB的上下部分（和焊料侧的Gnd1）之间；

还规定允许通过 IC2 上的 DC/DC 转换器从 Vcc1 生成 Vcc2（和 Vee）。使用此 DC/DC 转换器时，应断开 S2、S3 （& R6）

ACPL-P349/W349 评估板显示默认连接

执行检查后，评估板可用于在仿真模式下测试顶部和底部半桥逆变器臂之一，而无需 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET。要执行测试，只需遵循下面概述的五个步骤（参见图 2）。

测试半桥逆变器驱动器的双臂（无 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET）

评估板模拟测试设置

• 在 Q1 或 Q2 的栅极和发射极/集电极端子之间焊接一个 10nF 电容器（以模拟 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 的实际栅极电容）
• 在 CON1 的 +5V 和 GND 端子之间连接一个 +5V 直流电源（直流电源 1）
• 分别在 IC2a 的 Vcc2（IC2 的第 7 脚）和 Vee（IC2 的第 5 脚）端子上连接另一个直流电源（电压范围为 15V~30V 的直流电源 2）。出于测试目的，这可以是非隔离的
• 连接驱动信号
• 使用多通道数字示波器捕获以下点的波形

编辑：hfy