在上篇中,我们探讨了三星以NAND闪存技术为基础,推动了存储介质从HDD到SSD模式的转变。
今天,我们就来了解一下,三星SSD核心部件的技术自主化研发历程,以及三星SSD产品的迭代与创新。
凭借SSD技术的自主化和创新
三星深受SSD市场青睐!
SSD 由 NAND 闪存、DRAM、控制器硬件和驱动该设备的固件(Firmware)组成。如果说,NAND闪存是存放书籍的“图书馆”,那么控制器就是整理书籍的“图书管理员”。
换句话说,NAND闪存通过提高数据集成度来增加SSD的容量,而控制器则是利用控制接口和内存之间的数据传输,并决定读取和写入顺序,以此提高SSD性能。 通过不断创新,三星实现了NAND闪存、控制器、固件等SSD核心部件的技术自主化。
在三星SSD商用化进程中,NAND 闪存的创新发挥了重要作用。2006年,三星研发出了可以突破浮栅(Floating Gate)技术局限的CTF(电荷撷取闪存,Charge Trap Flash) NAND技术,为SSD的发展带来重大成功。基于这项技术,三星将40nm 32Gb NAND闪存应用于SSD,并实现了产品的商用化。
在NAND闪存发展早期,三星就已经开始关注并坚信其即将打开新的应用领域。三星还曾预测,在2010年以后,SSD将超越GB(千兆字节,Gigabyte)时代,TB(太字节,Terabyte)的超容量半导体技术将成为可能。 现在,这种预测已经成为了现实。2010年,三星正式启动了消费级SSD业务。
2011年,推出了20纳米级高速NAND闪存,以及搭载了专用控制器的SSD 830系列产品。并于2012年推出了采用3bit MLC(TLC,TripleLevel Cell)NAND闪存的SSD 840系列产品,打破了过去认为“采用3bit MLC NAND闪存的SSD无法实现高性能、高可靠性运行”的观念。 2013年,三星开始量产3D V-NAND闪存,再一次突破了微技术的瓶颈。且实现了三维集成技术商用化。基于这项技术,三星开始不断拓展大容量SSD市场,并于2014年推出了搭载3D V-NAND的SSD 850系列产品,从此消费级市场也开始转向以V-NAND为基础的产品。
2013年,三星开始量产企业数据中心级1TB SSD,2016年推出15.36TB SSD,并于2018年推出企业数据中心级30.72TB SSD。自2006年32GB SSD亮相以来,仅仅经过12年时间,三星就将其存储容量增加了1000倍,开启了超高容量半导体时代。 目前,三星依然在闪存技术领域和SSD市场上进行创新,不断制造更多新惊喜,让我们一起继续期待吧。
责任编辑:haq
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原文标题:三星半导体|从HDD到SSD,存储介质的进阶之路(下篇)
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