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灵活的EPC2218增强模式氮化镓功率晶体管

Xmsn_德州仪 来源:得捷电子DigiKey 作者:得捷电子DigiKey 2021-08-17 18:03 次阅读

功率电子技术正朝向更高的功率密度、高快的开关速度、更小的器件体积这个趋势发展,而传统的硅基器件已经接近了物理性能的天花板,很难有大幅提升的空间,因此基于氮化镓(GaN)等第三代宽禁带半导体材料的新型器件成为研发的重点,相关的应用开发活动也十分活跃。

EPC新近推出的EPC2218增强模式氮化镓功率晶体管(eGaN FET)就是在这个大趋势下应运而生的一款性能优异的器件。

EPC2218是100V、60A和231A脉冲增强型GaN FET,该晶片的尺寸为3.5mm x 1.95mm,仅以钝化芯片形式提供,带有焊锡条。该器件的导通电阻仅有3.2mΩ,与前代eGaN FET相比降低了接近20%,显著减少了功耗并提高了额定直流功率。

与硅基MOSFET相比,EPC2218的栅极电荷(QG)更小,并且没有反向恢复电荷(QRR),因此可以实现更快的开关速度和更低的功耗。

EPC2218非常适合于48 VOUT同步整流、D类音频信息娱乐系统、DC/DC转换器以及自动驾驶汽车、机器人无人机的LiDAR的应用。

器件特性

更高的开关频率:更低的开关损耗和更低的驱动功率

效率更高、传导和开关损耗更低、反向恢复损耗为零

占板面积更小,功率更高

产品电气特性

DC/DC转换器

BLDC电机驱动器

AC/DC和DC/DC的同步整流

激光雷达/脉冲功率

负载点 (POL) 转换器

D类音频

LED照明

责任编辑:haq

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原文标题:高速度、高功率、小尺寸、低功耗……这款GaN FET,堪称氮化镓功率器件典范!

文章出处:【微信号:德州仪器,微信公众号:tisemi】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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