0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

有货卖不出,DRAM进入寒冬期?!

来源:电子发烧友 作者:吴子鹏 2021-10-05 12:49 次阅读

近日,存储大厂美光发布示警信息称,由于PC客户面临其他零件短缺,导致对存储器拉货减少。受此影响,美光的营收和净利水平预计将低于市场预期。

在全球缺芯的大背景下,各大半导体公司几乎都收获了不错的营收,或是因为需求大涨,或是因为价格走高,而美光几乎是目前第一家预警业绩不达预期的指标大厂。

DRAM的发展轨迹

一直以来,DRAM产品的周期都较为特殊,该行业最大的影响因素大概就是几大存储厂商的扩产情况和工厂的突发状况。通常是,当三星、SK海力士和美光大力投资一段时间之后,DRAM领域便会出现一段时间的供大于求;而当几大厂商旗下某个重要工厂发生火灾或者特殊气体泄漏之后,产品价格便会应声上涨。

在此我们简单回顾一下2017年到2019年的情况,此中有非常明显的事件痕迹。2017年,作为全球最大的内存厂商,三星电子晶圆厂发生了非常严重的停电事故,导致内存、闪存晶圆报废。根据当时的统计数据显示,停电半小时总报废的产量相当于三星的11%、全球的3.5%。

受到此次事件的影响,全球内存价格暴涨,2017年内存被业界戏称为“全球最佳的理财产品”。2016年,普通消费者购买一根8GB内存条的价格为100多元,而在2017年其价格直逼1000元。在这一年,内存条的价格增幅跑赢了中国楼市,2016年下半年和2017年是中国楼市暴涨的时间,但内存的风头盖过了楼市。

很明显,这样的价格浮动体现了存储头部厂商在行业内的地位,可谓是牵一发而动全身。根据相关统计,2017年三星、SK海力士和美光三家企业在内存颗粒领域的市场占比超过了95%,其中三星一家的占比在45%左右。这样的市占比例,三星供货出问题必然会让市场供不应求,但三星不仅没有因为事故而影响收益,反而净利润破了历史记录。

到了2018年,三大厂商的统一动作是提升产能。三星在2018年启用了全球最大的闪存工厂,大幅提升产能;美光在收购华亚科之后又继续拿出20亿美元扩产;SK海力士的无锡工厂顺利增产,该厂投资了86亿美元。

结果是显而易见的,全球市场开始出现内存产能过剩。2019年年初,8Gb DDR4内存芯片的合约价格在6.13美元左右,到了年底迅速降至冰点,仅为2.79~2.88美元,内存价格暴跌50%以上。不过三大厂商定然是不愿意见到这样的局面的,在2019年纷纷减产和减少投资。

于是,我们在2020年Q1看到,内存的合约价格又出现了10%到20%的涨幅。

新一轮市场走势不受内存厂控制

进入2021年,全球市场在2020年疫情的抑制下开始逐渐恢复,智能手机、汽车、工业等领域都是如此。与此同时,疫情改变了人们的生活和办公形态,宅经济成为新的产业爆点。在这样的情况下,各领域对内存的需求急速扩大。

相关报道提到,即便2020年全球内存价格呈现平稳上涨的趋势,但2021年前五个月各大内存厂的利润已经抵得过2020年全年。此前,无论是厂商还是行业专家都认为,2021年内存将会有持续一年的景气行情。

然而,此时内存产业已经不是一个完全由行业龙头主导的产业,外部因素起到了更为重要的作用。目前,全球半导体市场的主旋律是芯片供应危机,其影响并不因头部厂商的意志而转移。

根据此前的报道,有市场消息人士透露,由于现货价格大幅波动,DRAM合约价格在2021年第四季度的跌幅将超过预期。根据TrendForce预测,第四季度整体DRAM均价跌幅为3%~8%。

综合行业信息来看,DRAM的库存维持在高位水平,且出货渠道严重受限于其他芯片短缺。

在应用方面,内存应用的前两大市场是PC和智能手机,然而由于汽车产业严重缺少芯片,因此晶圆代工厂把相当一部分产能转至车用芯片领域。同时,IDM厂商自己也在调整产品供应,英飞凌安森美、闻泰、士兰微等厂商都削减了用于消费电子的低压MOSFET产量,而转投利润率更高的车用高压MOSFET,导致PC上的元器件出货量不足。

在美光之前,已经有多家财经机构对DRAM市场做出利空评断,预期报价将转弱。美光自己也预期,至11月底止的本季营收约76.5亿美元,远低于分析师预测的85.7亿美元。

有IDM厂商内部人士透漏,目前的市场策略到2022年上半年都是较为清晰的,主要产能将集中在车用市场,低压MOSFET产品预计会有一轮严重的供不应求,致使价格维持在较高水平。厂商也预见了这种情况,在寻找外部产能帮助生产低压MOSFET,但在全球各大晶圆厂满载的情况下,预计也要到2022年下半年才会有更多的产能支持。因此,对于DRAM产品而言,接下来的三个季度,预计都将是寒冬。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • SDRAM
    +关注

    关注

    7

    文章

    422

    浏览量

    55134
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    RISC-V,即将进入应用的爆发

    我们会迎来前所未见的AI软件应用,而RISC-V有望打造出下一代的AI引擎。” 达摩院院长张建锋此前在3月2024玄铁RISC-V生态大会表示,随着新型算力需求激增,RISC-V发展迎来蝶变,即将进入应用爆发。他还表示,达摩院将持续加大RISC-V的研发投入和生态共建,
    发表于 10-31 16:06

    SRAM和DRAM有什么区别

    静态随机存储器(Static Random Access Memory,简称SRAM)和动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,简称DRAM)是两种不同类
    的头像 发表于 09-26 16:35 1203次阅读

    DRAM存储器的基本单元

    DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,是现代计算机系统中不可或缺的内存组件。其基本单元的设计简洁而高效,主要由一个晶体管(MOSFET)和一个电容组成,这一组合使得DRAM能够在保持成本效益的同时,实现高速的数据存取。
    的头像 发表于 09-10 14:42 620次阅读

    2024年DRAM收入将达到980亿美元,同比增长88%

    据知名市场研究机构Yole的最新预测,全球DRAM与NAND闪存市场即将迎来前所未有的繁荣。报告指出,2024年DRAM市场的收入预计将实现惊人飞跃,达到980亿美元,较去年同比增长高达88%。这一数字不仅彰显了
    的头像 发表于 08-06 09:56 551次阅读

    DRAM芯片的基本结构

    如果内存是一个巨大的矩阵,那么DRAM芯片就是这个矩阵的实体化。如下图所示,一个DRAM芯片包含了8个array,每个array拥有1024行和256列的存储单元。
    的头像 发表于 07-26 11:41 870次阅读
    <b class='flag-5'>DRAM</b>芯片的基本结构

    SK海力士引入创新MOR技术于DRAM生产

    SK海力士在半导体领域再次迈出创新步伐,计划在其第6代(1c工艺,约10nm)DRAM的生产中,首次采用Inpria的下一代金属氧化物光刻胶(MOR)。这一突破性的应用标志着MOR技术正式进入DRAM量产工艺。
    的头像 发表于 05-30 11:02 708次阅读

    3D DRAM进入量产倒计时,3D DRAM开发路线图

    目前,各大内存芯片厂商,以及全球知名半导体科研机构都在进行3D DRAM的研发工作,并且取得了不错的进展,距离成熟产品量产不远了。
    发表于 04-17 11:09 709次阅读
    3D <b class='flag-5'>DRAM</b><b class='flag-5'>进入</b>量产倒计时,3D <b class='flag-5'>DRAM</b>开发路线图

    三星2025年后将首家进入3D DRAM内存时代

    在Memcon 2024上,三星披露了两款全新的3D DRAM内存技术——垂直通道晶体管和堆栈DRAM。垂直通道晶体管通过降低器件面积占用,实现性能提升;
    的头像 发表于 04-01 15:43 536次阅读

    DRAM合约价一季度涨幅预计13~18%,移动设备DRAM引领市场

    DRAM产品分类显示,PC DRAM方面,DDR5订单需求未得到充分满足,买方预期DDR4价格将进一步上涨,这激发了备货需求。尽管新一代设备向DDR5转型,但对于DDR4采购量增幅不定。预计PC DRAM季度合约价变化幅度将在
    的头像 发表于 01-08 14:27 475次阅读

    激光焊接机为何突然不出光?怎么解决

    焊接机的工作效率,甚至有时候还会导致激光焊接机突然不出光,那么激光焊接机突然不出光的原因有哪些?一、激光焊接机突然不出光是什么原因?1、如果以前激光焊接机出光稳定并
    的头像 发表于 01-04 15:53 1755次阅读
    激光焊接机为何突然<b class='flag-5'>不出</b>光?怎么解决

    新火种AI|美光、英伟达大涨,AI引爆后,芯片行业寒冬已过?

    AI需求暴增,芯片行业寒冬或已过
    的头像 发表于 12-22 09:48 362次阅读
    新火种AI|美光、英伟达大涨,AI引爆后,芯片行业<b class='flag-5'>寒冬</b>已过?

    dram和nand的区别

    dram和nand的区别  DRAM和NAND是两种不同类型的存储器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一种随机存取存储器,而NAND(Not AND)是一种逻辑
    的头像 发表于 12-08 10:32 7018次阅读

    DRAM的范式转变历程

    DRAM制造技术进入10nm世代(不到20nm世代)已经过去五年了。过去五年,DRAM技术和产品格局发生了巨大变化。因此,本文总结和更新了DRAM的产品、发展和技术趋势。
    的头像 发表于 11-25 14:30 1336次阅读
    <b class='flag-5'>DRAM</b>的范式转变历程

    DRAM选择为何突然变得更加复杂?

    芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情况下,DRAM——尤其是高带宽存储器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有着良好的记录,也有成熟的工艺,而且比SRAM便宜得多
    的头像 发表于 11-22 16:36 939次阅读
    <b class='flag-5'>DRAM</b>选择为何突然变得更加复杂?

    芯片设计中DRAM类型如何选择

    DRAM有多种类型可供选择。有些速度非常快,如HBM,但也很昂贵。其他类型速度较慢,但价格便宜,如基本的DDR DIMM。然而,变化的是,在异构架构中,两者都可以发挥重要作用,以及多种其他DRAM类型和更狭义的存储器,如MRAM或ReRAM。
    发表于 11-15 11:27 607次阅读
    芯片设计中<b class='flag-5'>DRAM</b>类型如何选择