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DRAM新一轮市场走势不受内存厂控制

lPCU_elecfans 来源:电子发烧友网 作者:吴子鹏 2021-10-08 17:28 次阅读

近日,存储大厂美光发布示警信息称,由于PC客户面临其他零件短缺,导致对存储器拉货减少。受此影响,美光的营收和净利水平预计将低于市场预期。

在全球缺芯的大背景下,各大半导体公司几乎都收获了不错的营收,或是因为需求大涨,或是因为价格走高,而美光几乎是目前第一家预警业绩不达预期的指标大厂。

DRAM的发展轨迹

一直以来,DRAM产品的周期都较为特殊,该行业最大的影响因素大概就是几大存储厂商的扩产情况和工厂的突发状况。通常是,当三星、SK海力士和美光大力投资一段时间之后,DRAM领域便会出现一段时间的供大于求;而当几大厂商旗下某个重要工厂发生火灾或者特殊气体泄漏之后,产品价格便会应声上涨。

在此我们简单回顾一下2017年到2019年的情况,此中有非常明显的事件痕迹。2017年,作为全球最大的内存厂商,三星电子晶圆厂发生了非常严重的停电事故,导致内存、闪存晶圆报废。根据当时的统计数据显示,停电半小时总报废的产量相当于三星的11%、全球的3.5%。

受到此次事件的影响,全球内存价格暴涨,2017年内存被业界戏称为“全球最佳的理财产品”。2016年,普通消费者购买一根8GB内存条的价格为100多元,而在2017年其价格直逼1000元。在这一年,内存条的价格增幅跑赢了中国楼市,2016年下半年和2017年是中国楼市暴涨的时间,但内存的风头盖过了楼市。

很明显,这样的价格浮动体现了存储头部厂商在行业内的地位,可谓是牵一发而动全身。根据相关统计,2017年三星、SK海力士和美光三家企业在内存颗粒领域的市场占比超过了95%,其中三星一家的占比在45%左右。这样的市占比例,三星供货出问题必然会让市场供不应求,但三星不仅没有因为事故而影响收益,反而净利润破了历史记录。

到了2018年,三大厂商的统一动作是提升产能。三星在2018年启用了全球最大的闪存工厂,大幅提升产能;美光在收购华亚科之后又继续拿出20亿美元扩产;SK海力士的无锡工厂顺利增产,该厂投资了86亿美元。

结果是显而易见的,全球市场开始出现内存产能过剩。2019年年初,8Gb DDR4内存芯片的合约价格在6.13美元左右,到了年底迅速降至冰点,仅为2.79~2.88美元,内存价格暴跌50%以上。不过三大厂商定然是不愿意见到这样的局面的,在2019年纷纷减产和减少投资。

于是,我们在2020年Q1看到,内存的合约价格又出现了10%到20%的涨幅。

新一轮市场走势不受内存厂控制

进入2021年,全球市场在2020年疫情的抑制下开始逐渐恢复,智能手机、汽车、工业等领域都是如此。与此同时,疫情改变了人们的生活和办公形态,宅经济成为新的产业爆点。在这样的情况下,各领域对内存的需求急速扩大。

相关报道提到,即便2020年全球内存价格呈现平稳上涨的趋势,但2021年前五个月各大内存厂的利润已经抵得过2020年全年。此前,无论是厂商还是行业专家都认为,2021年内存将会有持续一年的景气行情。

然而,此时内存产业已经不是一个完全由行业龙头主导的产业,外部因素起到了更为重要的作用。目前,全球半导体市场的主旋律是芯片供应危机,其影响并不因头部厂商的意志而转移。

根据此前的报道,有市场消息人士透露,由于现货价格大幅波动,DRAM合约价格在2021年第四季度的跌幅将超过预期。根据TrendForce预测,第四季度整体DRAM均价跌幅为3%~8%。

综合行业信息来看,DRAM的库存维持在高位水平,且出货渠道严重受限于其他芯片短缺。

在应用方面,内存应用的前两大市场是PC和智能手机,然而由于汽车产业严重缺少芯片,因此晶圆代工厂把相当一部分产能转至车用芯片领域。同时,IDM厂商自己也在调整产品供应,英飞凌安森美、闻泰、士兰微等厂商都削减了用于消费电子的低压MOSFET产量,而转投利润率更高的车用高压MOSFET,导致PC上的元器件出货量不足。

在美光之前,已经有多家财经机构对DRAM市场做出利空评断,预期报价将转弱。美光自己也预期,至11月底止的本季营收约76.5亿美元,远低于分析师预测的85.7亿美元。

有IDM厂商内部人士透漏,目前的市场策略到2022年上半年都是较为清晰的,主要产能将集中在车用市场,低压MOSFET产品预计会有一轮严重的供不应求,致使价格维持在较高水平。厂商也预见了这种情况,在寻找外部产能帮助生产低压MOSFET,但在全球各大晶圆厂满载的情况下,预计也要到2022年下半年才会有更多的产能支持。因此,对于DRAM产品而言,接下来的三个季度,预计都将是寒冬。

责任编辑:haq

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原文标题:有货卖不出,DRAM进入寒冬期?!

文章出处:【微信号:elecfans,微信公众号:电子发烧友网】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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