季丰电子新增加高压IV Curve和高压热点定位,主要应用在MOS,SiC,IGBT等高压产品的失效分析,IV Curve扫描电压范围在±3000V,通过IV Curve好坏品对比,我们可协助判断坏品是否有异常,一般的失效模式为:Short,Open,Leakage,High resistance,找到异常的条件后再进行下一步的热点定位分析。
热点定位机台有InGaAs,OBIRCH,Thermal三种,均可通过IC正面或背面进行定位,找出缺陷位置,目前InGaAs&OBIRCH最高电压可达到3000V,而Thermal可进行非破坏定位,协助判断是封装异常还是IC异常。
热点定位机台主要应用为:
高压定位原理:
(a) IC frondside 影像+OBIRCH ;(b) OBIRCH signal
(a) IC frondside 影像+InGaAs ;(b) InGaAs emission
编辑:jq
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原文标题:季丰电子新增3000V高压IV Curve和高压热点定位
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