0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

英飞凌最新一代IGBT技术平台实现转速与位置的精准控制

QjeK_yflgybdt 来源:英飞凌工业半导体 作者:英飞凌工业半导体 2021-10-26 15:14 次阅读

IGBT7作为英飞凌最新一代IGBT技术平台,它与IGBT4的性能对比一直是工程师关心的问题。本文通过FP35R12W2T4与 FP35R12W2T7在同一平台伺服驱动中的测试,得到了相同工况下IGBT4与IGBT7的结温对比。实验结果表明,在连续大功率负载工况与惯量盘负载工况的对比测试中,IGBT7的结温均低于IGBT4。

伺服驱动系统响应速度快,过载倍数高,小型化和高功率密度的趋势更是对功率器件提出了更苛刻的要求。英飞凌明星产品IGBT7凭借超低导通压降、dv/dt可控、175℃过载结温、完美契合伺服驱动器的所有需求。英飞凌—晶川—迈信联合研发基于IGBT7的伺服驱动完整解决方案,可显著提高功率密度。驱动芯片采用英飞凌无磁芯变压器1EDI20I12MH。因为IGBT7独特的电容结构,不易寄生导通,因此可以使用单电源设计,最大程度上简化了驱动设计。主控MCU采用XMC4700/4800,电机位置检测采用TLE5109,实现转速与位置的精准控制。

为了对比IGBT4与IGBT7在伺服驱动中的表现,我们使用了同一平台的两台伺服驱动,分别搭载PIN脚布局相同的FP35R12W2T4与FP35R12W2T7,在相同dv/dt条件下(dv/dt=5600V/us),进行测试。

我们设计了两种典型工况对比方案,来对比IGBT4与IGBT7在相同的工况下的结温,分别是连续大负载对比测试与惯量负载对比测试。待测IGBT模块内的IGBT芯片上预埋热电偶,通过将热电偶连接数据采集仪,可以直接读出IGBT芯片结温。

连续大负载对比测试

加载采用两台电机对拖,被测电机系统工作于电动状态,负载电机系统工作于发电状态;

分别采用基于IGBT4和IGBT7的驱动器驱动被测电机,两台驱动器每次加载的开关频率、输出电流/功率一样;

采用功率分析仪测试驱动器的输入功率、输出功率,计算驱动器的损耗和效率。

下图是连续大负载工况下的IGBT4与IGBT7结温对比。

英飞凌最新一代IGBT技术平台实现转速与位置的精准控制

从中可以看出,在8K开关频率下加载13分钟,IGBT7和IGBT4的结温差17℃。随着加载时间的延长,结温差还处于上升趋势。

我们还对比了不同开关频率、同样输出功率(5.8KVA)情况下,IGBT7和IGBT4的温升对比,如下图所录。横轴是IGBT的开关频率;左边的纵轴是NTC温度与初始温度相比的温升。右边的纵轴是IGBT4和IGBT7的温升差。随着开关频率的提高,IGBT7和IGBT4的NTC温升变大;10K开关频率下,IGBT7的NTC温升比IGBT4降低19℃。可以看到。由于IGBT7可以工作更高的结温,因此可以实现更大输出功率,实现功率跳档。

英飞凌最新一代IGBT技术平台实现转速与位置的精准控制

惯量负载对比测试

两台分别装载IGBT4与IGBT7,电机带相同的惯量盘负载,转速从1500转/分钟到-1500转/分钟的时间为250毫秒,稳速运行时间1.2s。稳速运行工况下,相输出电流小于0.5A;因此此测试工况的平均功率比较小。

电机散热条件相同,开关频率8kHz。

惯量负载测试平台

英飞凌最新一代IGBT技术平台实现转速与位置的精准控制

惯量盘负载测试工况

测得结温曲线如下:

英飞凌最新一代IGBT技术平台实现转速与位置的精准控制

可以看出,在带惯量盘加减速运行工况下,IGBT7的结温低于IGBT4。运行13分钟后驱动器温升还没有达到平衡状态,此时结温相差约7℃。

最后我们对这部分测试做一个总结:

输出同样的功率,采用IGBT7的驱动器结温明显降低,允许缩小散热器的体积,从而驱动器尺寸可以缩小;

如果同样的散热条件,采用IGBT7则可以输出更大的功率,实现功率跳档;

再加上IGBT7可以工作在更高的结温,因此可以输出更大的功率。

原文标题:IGBT7与IGBT4在伺服驱动器中的对比测试

文章出处:【微信公众号:英飞凌工业半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
责任编辑:pj

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 英飞凌
    +关注

    关注

    66

    文章

    2183

    浏览量

    138646
  • 变压器
    +关注

    关注

    159

    文章

    7462

    浏览量

    135135
  • 伺服驱动
    +关注

    关注

    3

    文章

    85

    浏览量

    17704
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    先进机器人焊接技术:解析新一代焊接控制模块的关键功能与应用实践

    在当今的制造业中,先进机器人焊接技术已经成为了提升生产效率、保证产品质量和实现精密制造的重要工具。新一代焊接控制模块作为这项技术的核心组成部
    的头像 发表于 12-06 09:06 208次阅读

    英飞凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技术助力电力电子行业变革

    在日新月异的电力电子行业,对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET,英飞凌进行了巨大的研发投入,以重新定义系统集成标准,使其在广泛的电力电子应用中能够实现更高功率密度和效率。
    的头像 发表于 08-02 16:47 334次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b>600 V CoolMOS™ 8 <b class='flag-5'>新一代</b>硅基MOSFET<b class='flag-5'>技术</b>助力电力电子行业变革

    英飞凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技术助力电力电子行业变革

    技术将对数据中心、可再生能源和消费电子等行业产生深远影响。在日新月异的电力电子行业,对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET,英飞凌进行了巨大的研发投入,以重新
    的头像 发表于 07-31 08:14 339次阅读
    ​<b class='flag-5'>英飞凌</b>600 V CoolMOS™ 8 <b class='flag-5'>新一代</b>硅基MOSFET<b class='flag-5'>技术</b>助力电力电子行业变革

    重磅!英飞凌发布新一代碳化硅器件方案,助力低碳化和数字化目标达成

    7月8日到10日,在慕尼黑上海电子展E4馆内,英飞凌展示了第三半导体的产品解决方案。记者探访展台的时候,看到如下方案:新一代碳化硅技术
    的头像 发表于 07-22 09:10 3256次阅读
    重磅!<b class='flag-5'>英飞凌</b>发布<b class='flag-5'>新一代</b>碳化硅器件方案,助力低碳化和数字化目标达成

    上能电气采用英飞凌IGBT7 EconoDUAL™3实现单机2MW储能变流器

    英飞凌的TRENCHSTOPIGBT7,作为新一代IGBT技术的璀璨明珠,是大功率储能变流器PCS技术升级的推动力,它进
    的头像 发表于 06-14 08:14 1221次阅读
    上能电气采用<b class='flag-5'>英飞凌</b><b class='flag-5'>IGBT</b>7 EconoDUAL™3<b class='flag-5'>实现</b>单机2MW储能变流器

    ABB推出新一代机器人控制平台OmniCore

    ABB近日发布了其新一代机器人控制平台——OmniCore,标志着机器人技术大飞跃。这款全新的控制
    的头像 发表于 06-06 09:19 705次阅读

    PWM控制电机转速的原理与实现

    PWM(脉宽调制)是种广泛应用于电机控制领域的调制技术。它通过调节脉冲信号的占空比,实现对电机转速的精确
    的头像 发表于 06-03 17:23 6000次阅读

    富士新一代伺服ALPHA 7S系列—减振控制的创新与应用

    富士新一代伺服ALPHA7S系列实现了减振控制技术的创新,通过精确控制伺服电机运动轨迹和速度变化,降低了机械振动,同时保持高速度、高精度驱动
    的头像 发表于 05-21 13:56 463次阅读
    富士<b class='flag-5'>新一代</b>伺服ALPHA 7S系列—减振<b class='flag-5'>控制</b>的创新与应用

    英飞凌携手ETAS提升新一代AURIX微控制器的安全性

    随着汽车行业迈向软件定义汽车及新型E/E架构,市场对高性能硬件与先进网络安全方案的需求日益凸显。为响应这趋势,全球半导体巨头英飞凌科技股份公司与汽车软件专家ETAS携手合作,共同研发新一代安全解决方案。
    的头像 发表于 05-15 10:04 386次阅读

    英飞凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术

    英飞凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比,英飞凌全新的 CoolSiC™
    的头像 发表于 04-20 10:41 1051次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b>科技推出<b class='flag-5'>新一代</b>碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅<b class='flag-5'>技术</b>

    英飞凌发布新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术

    英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比,全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和
    的头像 发表于 03-20 10:32 941次阅读

    全面提升!英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术,据官方介绍,这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术,相比上
    的头像 发表于 03-19 18:13 2985次阅读
    全面提升!<b class='flag-5'>英飞凌</b>推出<b class='flag-5'>新一代</b>碳化硅<b class='flag-5'>技术</b>CoolSiC MOSFET G2

    英飞凌推出新一代碳化硅MOSFET沟槽栅技术

    在全球电力电子领域,英飞凌科技以其卓越的技术创新能力和领先的产品质量赢得了广泛赞誉。近日,该公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,标志着功率系统和能量转换领域迈入了
    的头像 发表于 03-12 09:53 643次阅读

    英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSi MOSFET G2

    在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这创新
    的头像 发表于 03-12 09:43 699次阅读

    英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2,推动低碳化的高性能系统

    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比,
    的头像 发表于 03-12 08:13 534次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b>推出<b class='flag-5'>新一代</b>碳化硅<b class='flag-5'>技术</b>CoolSiC™ MOSFET G2,推动低碳化的高性能系统