Other Parts Discussed in Post:BQ25619, INA2180
随着TWS耳机爆发式的增长,对耳机及电池盒的续航提出了更高的要求,一般可以从以下几点去提高续航。
1) 使用更大容量的电池来提高续航能力,缺点在于耳机及电池盒小巧的体积很难容下大体积的电池,同时大容量电池会过重。
2) 提高工作效率,减少器件的漏电流。耳机芯片可以选用BQ25150A类似的只有400-nA漏电流的线性充电芯片。充电盒芯片可以选用BQ25619类似的只有几个微安漏电流的开关充电芯片,提高充电速度以及改善热问题。
3) 优化系统,减少损耗,增加续航时间。
下面,我们从第三方面去介绍TI的电流采样芯片在优化系统,减少损耗上的应用。
框图一是一个典型的TWS耳机系统框图。其中红色电流采样部分,是为了在小电流,一般会低于5mA,将升压电路关闭,从而减少损耗。
图一
电流采样电路一般会采用2种方式:
1) 采用1欧姆左右的采样电阻,简单方便,直接可以读取电阻上的电压给MCU,从而控制升压电路的开关。但是1欧姆的电阻也会带来更大的压降,当给耳机充电电流减小到5mA左右,电阻上的压降只有5mV,不会有什么影响。当耳机的充电电流加大,2只耳机上的充电电流相加可能会达到300mA或以上,电阻上的压降就有300mV,不能忽略不计了。下面的表格计算了一个升压芯片的误差,包括反馈误差2%和分压电阻误差1%,从计算可以看出来输出电压最大偏差+/-0.18V,为了输出端得到一个稳定的5V电压需要考虑电阻上300mV的压降,输出电压需要加上300mV,最大会达到5.48V,在轻载的时候,这个电压会给后端系统带来相当大的风险。
最小值 | 典型值 | 最大值 | |
输出(V) | 4.82 | 5 | 5.18 |
反馈误差(V) | 0.98 | 1 | 1.02 |
上分压电阻R1(K Ohm) | 99 | 100 | 101 |
下分压电阻R2(K Ohm) | 25.25 | 25 | 24.75 |
2) 采用电流检测芯片,如下图二所示为TI的INA系列电流检测芯片的框图,有如下优点:
a) 外置的电流采样电阻可以使用毫欧级别的阻值,从而极大的降低电阻上的压降。减少损耗的同时,保证输出电压的精度。
b) 最小电流精度可以做到全量程1%左右,从而很容易的实现小电流关断,同时可以让耳机电池充的更满一些,提高续航。
c) 有SC70, SOT563,DSBGA及UQFN等小封装选择,外围简单,灵活方便。
d) 如果想对2个耳机分别监测,还可以采用双通道的INA2180A2芯片。
图二
以下四颗物料可以根据需求选择,其中INA2180是双通道的,可以同时检测2个耳机的电流。
Parameter | INA199C1 | INA216A2 | INA2180A2 | INA185A2 |
Operational VCM Range (V) | -0.1 V to 26 V | 1.8 V to 5.5 V | -0.2 V to 26 V | -0.2 V to 26 V |
Surviving VCM Range (V) | -0.1 V to 26 V | -0.3 V to 5.5 V | -0.3 V to 26 V | -0.3 V to 26 V |
Gain Options | 50 | 50 | 50 | 50 |
Gain Error @ 25°C (max) | 0.90% | 0.20% | 1.00% | 0.20% |
Gain Error Drift (ppm/°C) | 10 | 1 | 20 | 8 |
Gain Error @ 125°C (max) | 1.00% | 0.21% | 1.20% | 0.28% |
VOS @ 25°C (max µV) | 150 | 75 | 150 | 55 |
VOS Drift (max µV/°C) | 0.5 | 0.25 | 1 | 0.5 |
VOS @ 125°C (max µV) | 200 | 100 | 250 | 105 |
CMRR (min dB) | 100 | 90 | 84 | 96 |
PSRR (min dB) | 100 | N/A | 88 | 90 |
Supply Voltage Range (V) | 2.7 V to 26 V | 1.8 V to 5.5 V | 2.7 V to 5.5 V | 2.7 V to 5.5 V |
IQ (max mA) | 0.115 | 0.03 | 0.52 | 0.3 |
IB (typ µA) | 28 | 3 | 80 | 75 |
Bandwidth (kHz) | 80 | 10 | 210 | 210 |
Slew Rate (V/µs) | 0.4 | 0.03 | 2 | 2 |
Swing To Ground (mV) | 50 | 2 | 5 | 5 |
Operating Temp Range (°C) | -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 |
Package(s) | UQFN (10) & SC70 (6) | DSBGA (4) & UQFN (10) | VSSOP (8) | SOT-563 (6) |
Ideal Shunt Resistor (mΩ) | 16.0 | 15.7 | 16.6 | 16.6 |
Error @ NOM Current: | 1.62% | 1.06% | 1.25% | 0.34% |
审核编辑:金巧
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