芯片制造全过程的简单描述

芯片制作的过程大体包括沙子原料的提纯、拉晶（硅锭）、切片（晶圆）、光刻，蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试等诸多步骤，而且每一步里边又包含更多细致的过程。

在一个芯片中，需要分别制作出n型MOS晶体管与p型MOS晶体管。在各自的晶体管制作区域，以适当的浓度的注入各个晶体管所需的杂质（n型MOS： p井，n沟道； p型MOS： n井，p沟道）。 另外，可通过追加掺入不同的杂质及不同浓度的剂量來分别制作不同电压/特征的晶体管。由于闸形成的尺寸也会对晶体管的性能产生重要影响，因此有必要对光刻胶形成以及栅极蚀刻进行严格的尺寸管理。 并且，利用CVD法来沉积多晶硅可形成栅电极。

晶体管级别，六个晶体管的组合，大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看起来异常平滑，但事实上可能包含20多层复杂的电路，放大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多层高速公路系统。

经过一道道工艺之后，晶圆上就形成了一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，组织一次针测试模式是非常复杂的过程，这要求了在生产的时候尽量是同等芯片规格构造的型号的大批量的生产。

本文整合自：半导体行业观察、雪球网

审核编辑：符乾江