0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

“双碳”背景下,高转换效率的氮化镓应用

海明观察 来源:电子发烧友网 作者:李诚 2021-12-13 09:34 次阅读

电子发烧友网报道(文/李诚)在“双碳”的发展趋势下,能源转换效率已成为各行各业关注的焦点。据国家统计局公开信息显示,2020年城乡居民总用电量10949亿kWh,单户家庭年平均用电量780kWh。以能源转换效率提升1%为例,全国一年可节省电量109.5亿kWh,节省下来的电量可供单户居民用电1400万年。换算成电动车行驶里程数,可供Model S充电1.68亿次,行驶里程672亿公里,由此可见提升转换效率的重要性。

氮化镓对“双碳”起到什么作用?

“双碳”提出的重点是解决能源问题,而能源的重点就是电力,氮化镓作为高转换效率宽禁带半导体材料的代表,应用于输配电、用电、储能等各个环节中意义重大。低开关损耗特性使得氮化镓功率器件更有利于节能减排,高频的特点也推动了系统向高功率密度的发展。氮化镓已成为了绿色经济发展的驱动力,在双碳的背景下,氮化镓逐渐与更多产业产生交汇点。

氮化镓有高光效、高功率、高频率、耐高温,在相同功率下氮化镓比硅基产品体积小等多个特点,在碳中和、碳达峰的推动下在照明、电机驱动、数据中心、汽车、风光电储等领域得到了充分应用。在构建高效的能源系统,控制化石能源总量方面起到了重要作用。

成本降低、工作电压提高,氮化镓上车持续加速

随着化石能源日益枯竭与绿色产业的兴起,新能源汽车已成为未来的主要发展趋势,但由于经过多年的发展,硅功率半导体的潜在性能已被开发至瓶颈,需要更高效的功率半导体材料来提升新能源汽车的性能。在高效、低能耗、高功率密度方面,氮化镓恰好能满足这一要求。

尽管氮化镓功率器件集合了多种高性能的特性,但在汽车的应用中依然会面临一些问题。根据氮化镓目前的技术水平和材料特性来看,氮化镓功率器件主要应用在800V以下的中低压领域,与汽车逆变器应用的高压需求存在着些许差距。

今年4月,比利时的IMEC研究实验室通过1200V GaN-on-QST外延技术,成功将氮化镓的工作电压提升至1200V。该技术主要是在200mm QST衬底上为横向晶体管加入了更厚的外延 氮化镓缓冲层,可用于1200V的汽车应用中,并且通过这一技术还将氮化镓功率器件的硬击穿电压提升至了1800V,打破了氮化镓只适用于中低压应用的思维桎梏,极大地提高了功率器件工作的稳定性。

据IMEC的高级业务开发经理Denis Marcon表示,这款功率器件最关键的一点是:可在200mm晶圆厂中采用COMS工艺进行大批量的生产,极具成本优势。

高压氮化镓得以验证,有望成为开关电源的首选

图源:GaNPower

今年10月,GaNPower正式向外界展示了首款1200V单芯片E型氮化镓功率器件,并将该功率器件中在7A/800V的双脉冲测试板上进行了功率开关的验证。该系列芯片提供了两种封装方式,以满足不同的应用需求,GPIHV30DFN采用的是8*8 DFN的内置引脚封装,GPIHV30DDP5L采用的是TO263-5封装。由于GPIHV30DFN采用的是DFN的封装方式,为保证功率器件在高压状态下开关的可靠性,GaNPower将S-D爬电距离设置为2.8mm,保留了充足的安全距离。同时,GPIHV30DDP5L封装采用了GaNPower独特的专利设计,为器件加入了凯文接线和小型输入电容,用以降低浪涌电压。

该系列芯片的额定击穿为1200V,GaNPower为保证芯片工作的稳定性,在芯片设计时提高了150V的电压裕量,避免在工作过程中出现瞬态尖峰击穿元件。同时,该系列芯片的导通电阻Rds为60Ω,并通过低导通电阻的方式降低系统损耗,提高系统的转换效率。

在汽车应用中,汽车的直流母线电压通常在700~800V之间,功率器件的额定电压需要达到1200V,该系列芯片恰好满足这一要求。据GaNPower官方表示,该系列氮化镓功率器件的开关速度比碳化硅功率器件快10倍,非常适用于构建电动汽车车载充电器和电机驱动的功率转换器,从而提高电动汽车续航里程,减少碳排放。

伴随着氮化镓市场的逐渐扩大,有更多的厂商带着价格更低的硅基氮化镓进入市场,加上工艺的升级,氮化镓工作额定电压得以提高,氮化镓有望成为工作电压为20V至1200V应用的首选。

97.5%效率的48V DC/DC转换器

10月,GaN Systems和EPowerlabs通过合作,共同推出了基于氮化镓48V移动应用的DC/DC转换器DDC48-1K。

图源:GaN Systems

DDC48-1K是一款可在消费、工业和汽车领域应用的48V DC/DC电源转换器,采用了GaN Systems 100V的氮化镓功率晶体管GS61008P,GS61008P采用了获得专利的Island Technology和GaNPX封装,其中Island Technology技术能够提高芯片的电流流通量,GaNPX技术能够将芯片小型化的同时,降低系统的寄生参数,将开关损耗降低了50%,提升系统的转换效率,从而实现电能利用率的最大化。

据官网数据显示,DDC48-1K的直流输入电压区间为24V~60V,额定输出功率可高达1000W。在一般工作状态下系统转换效率能保持在95%以上,在满载运行时,系统效率可提升至97.5%,高出同类转换器效率的4%。同时这款电源转换器通过氮化镓高效、小尺寸的特性,经体积压缩至传统转换器的1/3,设备功率密度提升至28W/in3,解决了在移动应用中,空间小的物理极限。在重量方面,由于采用了无外壳的设计,再加上基于氮化镓高效的特性,使得元器件用量大幅降低,产品重量仅为345g,相同功率的冷风DC/DC电源转换器重约750g,两者相比DDC48-1K更轻。

高效、高功率密度和质量更轻的氮化镓电源转换器,非常适用于优化电动汽车、工业电动运输设备和机器人等应用的电力系统,从而提升能源利用率,实现节能减排的目的。

结语

在“双碳”的背景下,新能源汽车、光伏逆变器、充电桩等绿色能源产业规模不断扩大,市场对高效的功率器件需求大幅提升。随着氮化镓工作电压的提升,应用领域也得以拓展,加上低成本的硅基氮化镓进入市场,氮化镓替代成本较高的碳化硅已成为可能,市场上升空间巨大。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 氮化镓
    +关注

    关注

    59

    文章

    1638

    浏览量

    116417
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    氮化和砷化哪个先进

    景和技术需求。 氮化(GaN)的优势 高频与高效率氮化具有电子迁移率和低电阻率,使得它
    的头像 发表于 09-02 11:37 2755次阅读

    氮化(GaN)的最新技术进展

    本文要点氮化是一种晶体半导体,能够承受更高的电压。氮化器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。氮化
    的头像 发表于 07-06 08:13 928次阅读
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>(GaN)的最新技术进展

    浅谈光耦与氮化快充技术的创新融合

    氮化快充技术主要通过将氮化功率器件应用于充电器、电源适配器等充电设备中,以提高充电效率和充电速度。光耦技术作为一种能够将电信号
    的头像 发表于 06-26 11:15 426次阅读
    浅谈光耦与<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>快充技术的创新融合

    氮化快充电源ic U8722DE优化系统轻载效率

    氮化快充电源ic U8722DE集成高压E-Mode GaN FET,为了保障GaN FET工作的可靠性和系统效率,芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路
    的头像 发表于 05-08 14:22 937次阅读
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>快充电源ic U8722DE优化系统轻载<b class='flag-5'>效率</b>

    CGHV96050F1卫星通信氮化电子迁移率晶体管CREE

    CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化(GaN)电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与
    发表于 01-19 09:27

    氮化是什么充电器类型

    氮化充电器的优势以及其在未来的应用前景等方面进行详细介绍。 首先,我们先来了解一氮化的基本特性。
    的头像 发表于 01-10 10:20 976次阅读

    氮化是什么结构的材料

    氮化(GaN)是一种重要的宽禁带半导体材料,其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化的结构、制备方法、物理性质和应用领域。 结构:
    的头像 发表于 01-10 10:18 3526次阅读

    氮化芯片用途有哪些

    氮化(GaN)芯片是一种新型的半导体材料,由氮化制成。它具有许多优越的特性,例如电子迁移率、
    的头像 发表于 01-10 10:13 1605次阅读

    氮化芯片和硅芯片区别

    氮化作为材料,而硅芯片则采用硅作为材料。氮化具有优秀的物理特性,包括较高的电子与空穴迁移率、较高的饱和电子漂移速度和较高的击穿电压等,这些特性使得
    的头像 发表于 01-10 10:08 2160次阅读

    氮化是什么晶体类型

    氮化是一种重要的半导体材料,属于六方晶系晶体。在过去的几十年里,氮化作为一种有着广泛应用前景的材料,受到了广泛关注和研究。本文将会详尽地介绍氮化
    的头像 发表于 01-10 10:03 3983次阅读

    氮化mos管型号有哪些

    应用领域具有很大的潜力。 以下是一些常见的氮化MOS管型号: EPC2001:EPC2001是一种高性能非晶硅氮化MOS管,具有低导通电阻、
    的头像 发表于 01-10 09:32 2318次阅读

    氮化mos管驱动方法

    氮化(GaN)MOS管是一种新型的功率器件,它具有电压、开关速度和低导通电阻等优点,逐渐被广泛应用于功率电子领域。为了充分发挥氮化
    的头像 发表于 01-10 09:29 2905次阅读

    氮化芯片的应用及比较分析

    对目前市场上的几种主要氮化芯片进行比较分析,帮助读者了解不同型号芯片的特点和适用场景。 一、氮化芯片的基本原理 氮化
    的头像 发表于 01-10 09:25 1953次阅读

    氮化功率器件结构和原理

    氮化功率器件是一种新型的高频功率微波器件,具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化功率器件的结构和原理。 一、
    的头像 发表于 01-09 18:06 3319次阅读

    氮化技术的用处是什么

    、电子设备领域: 1.1 功率放大器:氮化技术在功率放大器的应用中具有重要的意义。相比传统的硅基功率放大器,氮化功率放大器具有更高的功率密度、更高的
    的头像 发表于 01-09 18:06 1942次阅读