东芝IGBT GT30J110SRA在家电产品中的应用

自以为用这颗小小的心脏包裹住了波澜壮阔，给这片山川湖海围上了栅栏，不放出那匹脱缰野马，这样就不会有人从我假意的冷淡里，拎出些滚烫的秘密。by 陈大力自以为用这颗小小的心脏包裹住了波澜壮阔，给这片山川湖海围上了栅栏，不放出那匹脱缰野马，这样就不会有人从我假意的冷淡里，拎出些滚烫的秘密。by 陈大力

提及IGBT应该每一个电子工程师都不会陌生，IGBT是由BJT（双极晶体管）和MOS（绝缘栅场效应晶体管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十至几百伏量级、电流几十至几百安量级的强电上的。而且IGBT支持软开关，配合一种控制器就能够很好的对电路进行开关。

东芝半导体在IGBT分立元器件上有着极大的提升，在保证高耐压环境中正常工作之外，进一步对器件结构进行优化改善，极大的降低了开关时产生的功率损耗和电磁干扰，为市场在IGBT领域上带来了利好革新。

形虽简但至强

接下来介绍的是GT30J110SRA，隶属于东芝半导体IGBT分立元器件族群，属于第6.5代更新分立元器件，继承了前几代优良的品性并且在此基础上有了极大的提升。例如它的Vce等级达到了1100V，适用于绝大多数家用电器的升压电路；它的功耗进一步的被降低，可以完美的节约能源成本；它的电磁辐射被有效的优化调节，能够很好的改善电磁干扰影响电路系统工作中正常运作。

为了证明上述讲得所言非虚，下面引用IGBT在电路中的测试数据来给大家做一个诠释。

图上半部分可以看到在进行开关切换的时候GT30J110SRA还是需要△T＝ton－tr的时间来对电平进行高低切换的，因此做PWM精度控制的时候就需要将loss的时间考虑进来，不然就会产生控制精度误差。图下半部分可以看出在对电源进行开关的时候GT30J110SRA切换电平产生的功耗损失，跟Vce、Ic成正比，满足对时间的积分关系，但是△T＝t2－t1足够小所以产生的损耗也是微乎其微的。而且芯片结构也被进行了优化提升，实现了较低的电磁辐射。并且在电磁辐射水平最强的30MHz左右时，辐射发射量仅为35.8dBμV/m，达到了十分优秀的水平！

好品质助家电

目前GT30J110SR在家电产品中的电压-谐振逆变器开关、软开关领域都有不俗的应用，诸如在电磁炉、微波炉产品中都能够大放异彩。未来，它将为家电产品提供更多更好的功能服务。

东芝半导体在IGBT研发设计方面积累了多年的宝贵经验，并持续致力于创新和提升芯片的功能属性和稳定特性，能够帮助用户在参考设计和应用部署上解决难题和困惑。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。

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原文标题：这样的IGBT就没不喜欢的

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审核编辑:汤梓红