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SiTime MEMS硅晶振工业应用解决方案

SiTime样品中心 2022-02-09 16:10 次阅读

关于作者--SiTime样品中心

为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及,让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势,SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心,为用户提供免费样品申请,小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务,更多信息请访问www.sitimechina.com,客户服务热线400-888-2483。

工厂自动化

单端、差分和扩频振荡器

SiT8918/SiT8919 | SiT9366/SiT9367 | SiT9005

d94dbe228140558d847868b8603c8e0b.jpg

  • 高温操作:-55℃ ~ +105°C

  • 典型振动:0.1 ppb/g

  • EMI降低:降低30dB


智能电网

MHz TCXO和32 KHz振荡器

SiT5356/SiT5357 | SiT1630

3e62651e90edd1238c4cad5c34e7b10f.jpg

  • 高达105°C的高精度振荡器:±100 ppb

  • 气流和抗热、震:1 ppb/°C

  • 低功耗,可延长电池寿命,100 KHz时为4.5μA


全球导航卫星系统精密定位

OCXO和TCXO

SiT5711 | SiT5356/SiT5357

228753b16f7db5037dfcbd2b65fa9756.jpg

  • 高精度:±5 ppb至±100 ppb

  • 典型振动:0.1 ppb/g

  • 高可靠性:>10亿小时平均无故障时间(MTBF)


测试和测量

OCXO、TCXO、差分、单端振荡器

SiT5711 | SiT5356/SiT5357 | SiT9366/SiT9367 | SiT8008/SiT8009

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  • 老化率:20年以上不超过±500ppb

  • 编程性:宽范围内的任何频率、稳定性、电压

  • 缩小尺寸:Stratum 3E OCXO


工业物联网

TCXO和32KHz振荡器

SiT5356/SiT5357 | SiT1532/SiT1533/SiT1630

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  • 高精度:±100 ppb,3e-11 ADEV

  • 低功耗,延长电池寿命

  • 最小尺寸32KHz TCXO:1.5 mm x 0.8 mm


关于作者--SiTime样品中心

为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及,让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势,SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心,为用户提供免费样品申请,小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务,更多信息请访问www.sitimechina.com,客户服务热线400-888-2483。


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