摘要
III-V材料与绝缘子上硅平台的混合集成是一种很有前景的技术。二乙烯基硅氧烷-双苯并环丁烯(简称DVS-BCB或BCB)是作为一种技术出现适合在工业规模上实现这样的集成。耦合为这些混合器件文章全部详情:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁的设计和制造提供了许多优势,但对于 一种高效的耦合,是一种非常薄(几十纳米)且均匀的键合层。 然而BCB在SOI波导结构上的平坦性较差。
关键词:消失偶联,胶接,BCB,化学机械平整度,平整度
介绍
硅光子学显得非常有前途,使大规模的研究领域成为无源器件和一些有源器件的制造在集成光子学。 然而,硅它的间接带隙阻碍了所以它不适用于光源的制造。解决这个问题的一个办法是混合集成硅与III-V半导体。 在混合集成中,是III-V 半导体被绑定在SOI之上波导电路。
实验
将BCB配方环烯3022-35旋涂于空白硅上并进行图纹处理SOI样本。 粘附促进剂AP3000旋转涂布前使用。略
审核编辑:符乾江
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