硅 (Si) 功率器件由于其低成本的批量生产、出色的起始材料质量、易于制造和经过验证的可靠性而在电力电子领域占据主导地位。尽管硅功率器件不断改进,但它们正在接近其工作极限,这主要是由于它们相对较低的带隙、临界电场和热导率会导致高传导和开关损耗以及较差的高温性能。碳化硅 (SiC) 的大带隙和临界电场允许具有更薄层的高压器件,从而降低电阻以及相关的传导和开关损耗。结合 SiC 的大热导率,通过简化的热管理,可以在高功率水平下高温运行。
此外,更薄的器件层和低比导通电阻允许减小电容的更小的形状因数。这可以在远高于硅的频率下高效运行,从而最大限度地减小无源系统组件的尺寸。因此,基于 SiC 的系统更高效、更轻、体积更小,并且具有成本竞争力(尽管器件成本高于 Si 器件),因为体积庞大的磁性元件和散热器被最小化。
在过去的二十年中,这些引人注目的效率和系统优势导致了重大的开发工作,SiC 平面和沟槽 MOSFET 和 JFET 可作为分立元件和电压范围为 650 至 1,700 V 的高功率模块从多家供应商处商业化。 目前,电力电子工程师可以选择 Si、SiC 和氮化镓 (GaN) 组件用于他们的系统。当然,在为应用和电压选择合适的材料器件时,有许多权衡:电流、频率、效率、温度和成本是重要的考虑因素。
图 1:Si、SiC 和 GaN 具有竞争力的电压范围
图 1显示了 Si、SiC 和 GaN 极具竞争力的电压范围。 硅可靠、坚固、便宜,并且能够在“较低”频率下进行大电流高效运行。它在 15 至 650V 范围内特别具有竞争力。GaN 以合理的成本提供高效的高频操作,因为它是在 CMOS 兼容的晶圆厂和代工厂中制造的,利用了硅制造的规模经济。GaN 器件是横向的——与具有垂直配置的 SiC 功率器件不同——这简化了封装和 IC 制造。
然而,横向配置实际上将操作限制在 ~650 V(一家 GaN 供应商提供 900 V 器件),而 SiC 是高于该额定电压的最佳解决方案。SiC 效率高,可在高电流和高频率下工作。虽然不完全兼容 CMOS,它是在硅晶圆厂中制造的,只需对额外的 SiC 专用设备进行少量资本投资。多个已建立的 Si 工艺已成功转移到 SiC,并且特定的 SiC 工艺在全球众多晶圆厂中处于成熟阶段。总体而言,碳化硅具有成本竞争力,因为它在成熟节点完全折旧的大容量硅晶圆厂进行加工,提供剩余的晶圆产能,最大限度地提高晶圆厂的利用率和利润。
审核编辑:符乾江
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