0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920

工程师 2022-03-18 17:35 次阅读

东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920

东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线

东芝电子元件及存储装置株式会社 (“东芝”)在其DTMOSVI系列新一代650 V超结结构N沟道功率MOSFET中推出四款新产品——“TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z”,它们适用于数据中心、光伏发电机功率调节器等工业设备的开关电源

产品线扩展了器件的封装、漏源导通电阻和栅漏电荷。

与上一代DTMOSIV-H系列相比,新一代DTMOSVI系列“漏源导通电阻×栅漏电荷”的品质因数降低约40%,关电源效率提高约0.36%。

景嘉微旗舰新品JH920隆重发布

此前,景嘉微以“创‘芯’视界,应用无界”为主题发布了旗舰新品JH920。

JH920是景嘉微第三代具有完全自主知识产权的高性能图形处理器芯片,对比前两代,性能有了大幅度提升。JH920主要应用于中高端图形显示、通用计算、嵌入式等领域。支持4路独立显示输出,支持多屏同时输出,支持4路视频解码,1路视频编码,支持OpenGL4.0、Vulkan1.1等图形编程接口,支持OpenCL3.0计算编程接口,支持4路4K@60fps HDMI2.0外视频输入。全面支持国产CPU、国产操作系统和国产固件,可广泛应用于PC、服务器、图形工作站等设备,满足地理信息系统、图像匹配、信号处理、机载车载舰载显控等显示计算需求。同时,JH920还可以支持多种游戏引擎,如OGRE,UE4,Unity3D等。

飞腾入选首批CITIVD信创政务产品安全漏洞专业库技术支撑单位

在工业和信息化部网络安全管理局组织指导下,由国家工业信息安全发展研究中心负责建设和运营的 “信创政务产品安全漏洞专业库”(简称:CITIVD)正式颁发首批技术支撑单位证书。凭借在信创和信息网络安全领域深厚的技术积累及研发实力,飞腾成功入选。

作为国内领先的自主核心芯片提供商,飞腾公司一直以实际行动防范安全漏洞,设计研发主动免疫的可信计算 CPU 并推动落地应用。2019 年,飞腾就发布了国内首个处理器安全架构规范 PSPA,并在 FT-2000/4、飞腾腾锐 D2000 处理器中相继得到实现。飞腾研究院安全研究团队对处理器安全及其相关领域进行广泛研究与前沿探索,涉及处理器微架构攻击与防御、侧信道攻击与防御、固件安全和虚拟化安全等诸多方向。

综合自东芝 景嘉微 飞腾 企业官网

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 处理器
    +关注

    关注

    68

    文章

    19159

    浏览量

    229097
  • MOSFET
    +关注

    关注

    144

    文章

    7085

    浏览量

    212694
  • 东芝
    +关注

    关注

    6

    文章

    1393

    浏览量

    121141
  • 飞腾
    +关注

    关注

    2

    文章

    234

    浏览量

    12943
  • 景嘉微
    +关注

    关注

    0

    文章

    32

    浏览量

    5126
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    东芝拓展40V N沟道功率MOSFET产品线,引领汽车节能新纪元

    对旗下的40V N沟道功率MOSFET产品线进行了重要拓展,推出了三款采用先进SOP Advan
    的头像 发表于 09-03 15:25 392次阅读

    Navitas推出新一代650V SiC MOSFET,采用高效TOLL封装

    Navitas半导体公司日前宣布扩展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET,新增一款耐用且高效的表面贴装TOLL(无引脚晶体管外形)封装。这种新型封装专门针对高功率
    的头像 发表于 08-05 11:25 342次阅读
    Navitas推出新一代<b class='flag-5'>650V</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>,采用高效TOLL封装

    新品 | 650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F

    新品650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F650V高速半桥栅极驱动器,具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流,采用DSO-8封装,用于驱动功率
    的头像 发表于 07-27 08:14 290次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>650V</b>高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F

    1A,700V N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册

    电子发烧友网站提供《1A,700V N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册.pdf
    发表于 05-30 16:11 0次下载

    东芝推出两款采用L-TOGL封装的车载N沟道功率MOSFET产品

    东芝近日发布了两款专为车载环境设计的N沟道功率MOSFET产品——“XPQR8308QB”(80
    的头像 发表于 05-08 14:35 421次阅读

    650V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册

    电子发烧友网站提供《650V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 18:01 0次下载

    650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册

    电子发烧友网站提供《650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 17:57 1次下载

    650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65HE数据手册

    电子发烧友网站提供《650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65HE数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 17:56 0次下载

    650V 50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UH数据手册

    电子发烧友网站提供《650V 50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UH数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 17:53 0次下载

    650V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册

    电子发烧友网站提供《650V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 17:10 0次下载

    650V 10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC资料文档

    电子发烧友网站提供《650V 10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC资料文档.pdf》资料免费下载
    发表于 04-08 17:15 1次下载

    Littelfuse N沟道和P沟道功率MOSFET的比较分析

    Littelfuse P沟道功率MOSFETs,虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名,在传统的应用范围也较有限,然而,随着低压(LV)应用需求的增加, P
    的头像 发表于 04-02 14:27 1350次阅读
    Littelfuse <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b>和P<b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的比较分析

    25V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16401Q5数据表

    电子发烧友网站提供《25V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16401Q5数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 03-21 10:46 0次下载
    25<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>沟道</b> NexFET™ <b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> CSD16401Q5数据表

    25V N沟道 NexFET™ 功率MOSFET CSD16321Q5数据表

    电子发烧友网站提供《25V N沟道 NexFET™ 功率MOSFET CSD16321Q5数据表 .pdf》资料免费下载
    发表于 03-21 10:43 0次下载
    25<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b> NexFET™ <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> CSD16321Q5数据表

    东芝推出高速二极管型功率MOSFET助力提高电源效率

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在新一代[1]具有结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率
    的头像 发表于 02-22 18:22 1392次阅读
    <b class='flag-5'>东芝</b>推出高速二极管型<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>助力提高电源效率