今天和大家分享一下STM32F103C8T6读写内部flash,关于103系列的单片机大家可以参考选项手册查看flash的容量。 一、芯片FLASH容量分类: 可以看到我们今天介绍的这款芯片的flash大小是64K的,网上也有人说它可以支持到128K,但是官方给出的解释是前64K是有保证的,后面的无法保证,所以想要使用的小伙伴需要慎重。 现在芯片的flash大小我们知道了,下面就可以看看这个flash是怎么划分的了,通过芯片数据手册,我们能看到今天说的STM32F103C8T6是属于中等容量的设备。 既然是中等容量的设备了,那我们就来看看flash划分吧,在STM32的闪存编程手册中有这样一段话:按照不同容量,存储器组织成: 32个1K字节/页(小容量)128个1K字节/页(中容量)256个2K字节/页(大容量) 这段话怎么理解呢,就是告诉我们小容量的设备(内存是6K和32K)的设备是由1K字节每页组成的。 中容量的设备(内存是64K和128K)的设备是由1K字节每页组成的。大容量的设备(内存是256K、384K和512K)的设备是由2K字节每页组成的。 举个例子吧: 一个芯片的存储容量是64K,这64K是什么呢,就是64*1024个BYTE,一个BYTE是由8位0或1组成的,(比如0000 1111 这8个二进制数组成了一个字节,用十进制来说就是15) 小结一下:64K的flash可以存储64*1024个字节的数据。 咱们继续说,这64K的数据怎么划分,存储是按照页为单位进行存储的,一页1K的容量,也就说一页可以存储1024个字节。 一共是多少页? 答案是:64页,我们看一下官方是不是这么说的。 在闪存编程手册里确实是这么说的,所以我们刚才说是64页是正确的 二、 读写步骤: 上面我们知道了芯片是怎么分类的,下面我们就重点来讲解一下芯片是怎么读写的。 内部flash我们参照HAL库或者标准库,直接调用ST公司给我们封装好的库进行编程就可以了,这里我用的是标准库,有兴趣的小伙伴可以去看看HAL库。 是不是有小伙伴会疑问什么是标准库,什么是HAL库? 在这里给大家解释一下,这两个库都是ST公司,直接把寄存器封装成函数,供大家直接调用某一个函数,就可以完成各种寄存器的配置,不容大家直面芯片的寄存器,方便阅读和使用,因为每个函数的名称功能都是不一样的,在调用前可以参考函数的注释,在F0和F4的标准库里甚至有每个函数的用法,不知道为什么在F1的库里把使用步骤去掉了。 咱们继续,读写的话库函数分为:
在这里就不一个一个的详细说了,我们说一下常用的就行 1. 解锁void FLASH_Unlock(void); 2. 上锁void FLASH_Lock(void); 3. 页擦除FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address); 4. 半字写入FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data); 上面这4个函数就是我们最常用的。 下面说一下数据写入的步骤: 第一步:解锁。 第二步:判断写入的数据是否被擦除过,也就是判断写入的地址内存放的是不是0xFFFF 这里要重点说一下,为什么要判断是不是0xFFFF而不是判断是不是0xFF呢?因为我们每次写入数据都要写入半字,也就是两个字节的数据才行,而且写入的地址只能是2的整数倍,不能是奇数。这里大家注意一下。 第三步:写入数据 STM32F103C8T6只能按照半字的方式进行数据写入,写入前的数据必须是0XFFFF,因为FLASH数据写入,只能写0,不能写1,这也就是为什么我们要先确保写入前的数据是被擦除了的原因。 第四步:上锁。 第五步:验证写入是否正确。 其实第五步可以省略。 我们看看官方给的写入过程: 好了,其实是一样的。下面我就和大家来分享一下(百分之九十九参考的正点原子的例程)。/*------------ Functions used for all STM32F10x devices -----*/
void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency);
void FLASH_HalfCycleAccessCmd(uint32_t FLASH_HalfCycleAccess);
void FLASH_PrefetchBufferCmd(uint32_t FLASH_PrefetchBuffer);
void FLASH_Unlock(void);
void FLASH_Lock(void);
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);
FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages);
FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState);
FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY);
uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void);
uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);
FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);
FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void);
void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState);
FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG);
void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG);
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);
/*------------ New function used for all STM32F10x devices -----*/
void FLASH_UnlockBank1(void);
void FLASH_LockBank1(void);
FLASH_Status FLASH_EraseAllBank1Pages(void);
FLASH_Status FLASH_GetBank1Status(void);
FLASH_StatusFLASH_WaitForLastBank1Operation(uint32_tTimeout);
//不检查的写入
//WriteAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u16 i;
for(i=0;i
{
FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer);
WriteAddr+=2;//地址增加2.
}
}
最终我们调用STMFLASH_Write()函数进行数据的写入,是不是有没看懂的小伙伴,我给大家解释一下写入的过程吧。 这个STMFLASH_Write()函数,是说给定一个写入的地址、数据和写入的个数,然后按照给定的地址开始写数据,注意红色字体。 写数据是怎么做的呢? 首先是整理一下写入的页地址和需要写入多少页,每一页写入的话起始地址是什么然后开始一页一页的写,当遇到跨页写入的时候,把第二页的地址写进去,写的个数继续写入就行。 还有一个地方很重要,就是我修改了库函数://从指定地址开始写入指定长度的数据
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u32 secpos; //扇区地址
u16 secoff; //扇区内偏移地址(16位字计算)
u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)
u16 i;
u32 offaddr; //去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr
=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址 FLASH_Unlock(); //解锁
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小
if(NumToWrite<=secremain)
{
secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
}
while(1)
{
STMFLASH_Read(((secpos*STM_SECTOR_SIZE)+STM32_FLASH_BASE),STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
for(i=0;i
//校验数据 // for(i=0;i<(STM_SECTOR_SIZE/2);i++)//校验数据
{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除
// if(STMFLASH_BUF!=0XFFFF)break;//需要擦除
}
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
if(i
//需要擦除 // if(i<(STM_SECTOR_SIZE/2))//需要擦除
{
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
for(i=0;i
//复制 {
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区
}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
else//写入未结束
{
secpos++; //扇区地址增1
secoff=0; //偏移位置为0
pBuffer+=secremain; //指针偏移
WriteAddr+=(secremain*2); //写地址偏移
NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减
if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))
{
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
}
else
{
secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
}
}
}
FLASH_Lock();//上锁
}
大家能看出来吗?就是红色字体部分,增加了一个每次写入前清除所有异常状态。为什么添加这个呢? 因为,如果你写入的数据的地址没有擦除,你就写入的话会导致异常状态的发生,而这个异常状态时要手动清除的,如果你没有清除这个异常状态,而继续写入数据的话,那么你后面写入任何数据都会报错,均写不进去,所以我在这里增加了一个异常状态清除,如果前面写入的数据报错了,不会影响我接下来的数据写入。 这里大家就清除为什么了吧。 写数据会了,那么再说一下读数据,其实这里读数据要比外部flash读取容易的多,我们直接读取地址,返回的就是地址存放的数据,是不是很简单。 看下面的函数:/**
* [url=home.php?mod=space&uid=247401]@brief[/url] Programs a half word at a specified address.
* [url=home.php?mod=space&uid=536309]@NOTE[/url] This function can be used for all STM32F10x devices.
* @param Address: specifies the address to be programmed.
* @param Data: specifies the data to be programmed.
* @retval FLASH Status: The returned value can be: FLASH_ERROR_PG,
* FLASH_ERROR_WRP, FLASH_COMPLETE or FLASH_TIMEOUT.
*/
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data)
{
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
/* Check the parameters */
assert_param(IS_FLASH_ADDRESS(Address));
#ifdef STM32F10X_XL
/* Wait for last operation to be completed */
status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
if(Address < FLASH_BANK1_END_ADDRESS)
{
if(status == FLASH_COMPLETE)
{
/* if the previous operation is completed, proceed to program the new data */
FLASH->CR |= CR_PG_Set;
*(__IO uint16_t*)Address = Data;
/* Wait for last operation to be completed */
status = FLASH_WaitForLastBank1Operation(ProgramTimeout);
/* Disable the PG Bit */
FLASH->CR &= CR_PG_Reset;
}
}
else
{
if(status == FLASH_COMPLETE)
{
/* if the previous operation is completed, proceed to program the new data */
FLASH->CR2 |= CR_PG_Set;
*(__IO uint16_t*)Address = Data;
/* Wait for last operation to be completed */
status = FLASH_WaitForLastBank2Operation(ProgramTimeout);
/* Disable the PG Bit */
FLASH->CR2 &= CR_PG_Reset;
}
}
#else
/* Wait for last operation to be completed */
status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
if(status == FLASH_COMPLETE)
{
/* if the previous operation is completed, proceed to program the new data */
FLASH->CR |= CR_PG_Set;
*(__IO uint16_t*)Address = Data;
/* Wait for last operation to be completed */
status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
/* Disable the PG Bit */
FLASH->CR &= CR_PG_Reset;
}
#endif /* STM32F10X_XL */
/* Return the Program Status */
return status;
}
有没有很开心,读写数据就是这么简单就完成了。 以后如果我们想开发BootLoader、把剩余的flash利用起来,就都很简单了。我会把用到的数据手册当成附件挂到下面,大家可以自行下载。(点击“阅读原文”下载) 以后我们再一起学习其他的功能,最后打个广告,ST的芯片很给力,大家应该多支持,如果你觉得学到了知识的话,那么请留意评论谢谢。 审核编辑 :李倩//读取指定地址的半字(16位数据)
//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)
//返回值:对应数据.
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
return *(vu16*)faddr;
}
//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)
{
u16 i;
for(i=0;i
{
pBuffer=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
ReadAddr+=2;//偏移2个字节.
}
}
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原文标题:神操作!如何快速读写MCU内部flash?
文章出处:【微信号:mcu168,微信公众号:硬件攻城狮】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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