提及浪涌这个词不知道会激起多少电子工程师内心的恐惧与愤恨,特别是在新型电子产品第一版设计完善后做压力疲劳测试的时候极为容易受到浪涌的危害。
一般为了解决这种微秒级到毫秒级不等时间内的剧烈脉冲,很多工程师会在支路电路上加上一个0至10欧姆不等的电阻,但是这种方法却不能完全解决浪涌的强烈脉冲,而且电阻耐压值也可能达不到要求。所以要想根本解决这个问题需要在电路线路中添加对应的齐纳二极管。
接下来就介绍本篇的主角,来自东芝半导体自主研发的CEZ5V6齐纳二极管。齐纳二极管也是属于二极管家族的一个分支,继承了二极管正向电压导通,反向电压截止的特性。与普通二极管不同的是,普通二极管在工作中正向偏压而齐纳二极管往往是反向偏压,因此注定应用在不同的环境之中。
简约而不简单
CEZ5V6采用SOD-523(ESC)封装结构,减小了占用的板载面积。作为一款经过特别制程制造出的二极管,其反向崩溃电压通常没有一般二极管那么高,而且崩溃现象是可逆的。CEZ5V6不仅能防止半导体器件受操作过压和接近直流频率的过压影响,还可使半导体器件不受宽度达数百纳秒的静电放电(ESD)以及微秒级脉冲宽度的感应雷电过压的影响。此外,凭借低动态电阻和低钳位电压等特性,此产品还可通过吸收浪涌降低半导体器件上的外施电压,从而提高设备可靠性。
由于CEZ5V6的齐纳电压为5.6V,因此能够对抗电路启动时所带来的瞬时高压冲击,为电路带来高效保护。
为了更好的了解这颗产品的频率反应性,产品在出厂时做了大量的分析实验,动态电阻VR=0V时,f=1MHz,真正意义上满足微秒级别的脉冲反应。
应用场景分析
CEZ5V6在消费类设备(家用电器、办公自动化设备、电源等)上有着广泛的应用,源于其能够防止半导体器件受开关浪涌、感应雷电过压以及静电放电(ESD)影响,从而真正意义上避免浪涌冲击对元器件的击穿损伤。
东芝半导体拥有全球领先的半导体设计团队和实验室,一直以来为全球电子市场提供了大量高品质的电子元器件。在二极管半导体研发设计上,持续的投入新型技术和研发新型材料助力电子二极管市场有一个突破性的提升。
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商,公司累积了半个多世纪的经验和创新,为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
公司23,100名员工遍布世界各地,致力于实现产品价值的最大化,东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作,旨在促进价值共创,共同开拓新市场,公司现已拥有超过7,110亿日元(62亿美元)的年销售额,期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
原文标题:听说你曾经也饱受浪涌困扰?
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审核编辑:汤梓红
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