三星将中断12nm DRAM芯片开发，直接跨入11nm
近日，据韩媒报道称，三星的研发人员收到了中断1b工艺DRAM芯片开发的命令，要求直接研发1c工艺DRAM芯片，也就是跳过12nm工艺直接研发11nm工艺。
在此之前，三星也做出过类似的决定。曾经各大厂商都专心研究28nm DRAM芯片时，三星同样跨过了28nm，直接开始研发25nm工艺，最终取得了成功。
这次三星同样想靠弯道超车来与其他厂商拉开差距，占据行业领先地位。三星计划在6月完成11nm DRAM芯片的开发工作。
综合整理自 比特网 萬仟网 中文科技资讯
审核编辑 黄昊宇
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