快速判断mos管封装引脚的三个极和它的好坏

MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor，即金属-氧化物-半导体，描述了集成电路中的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极（Gate）。

栅极（Gate）是mos管三极中的一个，还有漏极（Drain）和源极（Source）。那如何区分它们呢，下面金誉半导体分别来介绍一下mos管三个极代表什么及其怎么判断三个极和方法。

总的来说，G极比较好认，

D极，不论是p沟道还是N沟道，是单独引线的那边；

S极，不论是p沟道还是N沟道，两根线相交的就是。

1.判断栅极G

MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，假如G信号驱动能力不够，将严峻影响波形跳变的时间。

将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大，并且交换表笔后仍为无限大，则证实此脚为G极，由于它和另外两个管脚是绝缘的。

2.判断源极S、漏极D

将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。因为测试前提不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。

3.丈量漏-源通态电阻RDS（on）

在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。

管脚测定方法：

①栅极G的测定：用万用表R×100档，测任意两脚之间正反向电阻，若其中某次测得电阻为数百Ω），该两脚是D、S，第三脚为G。

②漏极D、源极S及类型判定：用万用表R×10kΩ档测D、S问正反向电阻，正向电阻约为0.2×10kΩ，反向电阻（5一∞）X100kΩ。在测反向电阻时，红表笔不动，黑表笔脱离引脚后，与G碰一下，然后回去再接原引脚，出现两种情况：

a．若读数由原来较大值变为0（0×10kΩ），则红表笔所接为S，黑表笔为D。用黑表笔接触G有效，使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω，还可证明该管为N沟道。

b．若读数仍为较大值，黑表笔不动，改用红表笔接触G，碰一下之后立即回到原脚，此时若读数为0Ω，则黑表笔接的是S极、红表笔为D极，用红表笔接触G极有效，该MOS管为P沟道。

如何快速判断MOS管好坏与引脚性能

1、用10K档，内有15伏电池。可提供导通电压。

2、因为栅极等效于电容，与任何脚不通，不论N管或P管都很容易找出栅极来，否则是坏管。

3、利用表笔对栅源间正向或反向充电，可使漏源通或断，且由于栅极上电荷能保持，上述两步可分先后，不必同步，方便。但要放电时需短路管脚或反充。

4、大都源漏间有反并二极管，应注意，及帮助判断。

5、大都封庄为字面对自已时，左栅中漏右源。以上前三点必需掌握，后两点灵活运用，很快就能判管脚，分好坏。

如果对新拿到的不明MOS管，可以通过测定来判断脚极，只有准确判定脚的排列，才能正确使用。

以上就是此次金誉半导体关于mos管封装引脚的内容分享，希望能对大家有所帮助。

审核编辑：符乾江