0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

宽带隙器件的应用有哪些

科技观察员 来源: Anushree Ramanath 作者: Anushree Ramanath 2022-04-22 17:01 次阅读

宽带隙(WBG)半导体器件的集成在多种技术应用中作为硅技术的替代品是一个不断增长的市场,它可以提供效率和功率密度的改进,这对能源和成本节约有很大的影响[1]。WBG具有显着优势,例如更高的开关频率、更低的功率损耗和更高的功率密度。继续阅读以了解有关基于WBG的半导体器件的广泛应用的更多信息

概述

WBG材料将推动未来应用领域的高性能,如图1所示。在某些情况下,与GaN相比,某些关键应用从SiC中受益更多,但大多数情况下,很明显,它们从基于WBG材料的实施中受益比传统的基于硅的对应物更多。除了图中所示的应用之外,一些应用还包括太阳能解决方案、单相组串式逆变器、三相组串式逆变器、利用风力发电、辅助电源、核心电源、热插拔、服务器机架电源。其他一些应用是交通电气化解决方案,如电动汽车辅助电源、牵引逆变器、电动汽车充电、起动发电机和车载充电器。

poYBAGJibwGAVMz5AAB7M7ZUU1s241.jpg

图1.宽带隙半导体器件的应用[4]。

宽带隙(WBG)器件的应用

基于WBG的设备的高影响机会是巨大的。应用领域包括约占美国总电力需求40%的电机驱动器。据估计,目前安装的电动机中有40%到60%可以受益于能够有效适应速度和扭矩需求的变频驱动器(VFD)[1]。根据应用的不同,采用VFD可以将能耗降低10%到30%。众所周知,用于高功率应用的传统VFD体积庞大且占用大量空间。通过使用基于WBG的VFD,可以提高尺寸、功率密度和效率,同时降低整体系统成本。

据了解,2014年数据中心的能源消耗约占美国总用电量的2%。大多数现代数据中心的电力输送架构由工频变压器、低压配电网络、集中式备份单元和低效的电压调节器。用于提高能源效率的策略包括从集成低损耗功率转换器到重新设计供电网络。然而,供电网络的完全重新设计涉及在空间有限且必须进行适当热管理的机架级转换更高电压。

航空航天工业是基于WBG的设备可以发挥作用的另一个领域。众所周知,更长、更薄、更轻的机翼相对于目前的商用飞机可以减少50%的油耗和碳排放。实现这一目标将每年减少大量能源,但需要一种需要机电致动器的变革性机翼设计[3]。预计这些产品体积小、重量轻,可在较宽的温度范围内稳定运行。此外,电气化可以减轻重量并提高效率。基于WBG的转换器也为在航空运输行业实现显着节能提供了途径。

在可再生能源集成(主要是太阳能和风能)等基于电网的应用中,以及高压直流(HVDC)和柔性交流输电系统(FACTS)等新兴领域中,需要使用功率调节器来控制流量电。这是通过以最适合负载的形式提供电压和电流来实现的。传统的硅基电力电子设备造成这些应用中产生的所有电力损失大约4%,并被认为是已安装系统的主要故障点。新型基于WBG的电子电路通过在更高的开关频率下运行,从而降低了无源元件的尺寸并降低了整个系统的占位面积,从而提供了一条降低系统级成本的途径。此外,这些电路将通过允许光伏阵列在更高电压下运行来提高系统级效率。这反过来将使直流系统具有更少的电压转换或变压器,从而用DC-DC转换器取代传统的汇流箱[4]。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体器件
    +关注

    关注

    12

    文章

    733

    浏览量

    31946
  • 宽带隙器件
    +关注

    关注

    0

    文章

    14

    浏览量

    2461
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    中国科大徐集贤团队Science:抑制相分离的三卤化物宽带钙钛矿可实现高效钙钛矿/硅叠层太阳能电池

    宽带金属卤化物钙钛矿是与硅叠层结合使用的理想半导体,以实现超过30%的功率转换效率(PCE),同时降低成本。然而,宽带钙钛矿太阳能电池受到光诱导相分离和低开路电压的基本限制。量子效
    的头像 发表于 10-16 08:08 296次阅读
    中国科大徐集贤团队Science:抑制相分离的三卤化物<b class='flag-5'>宽带</b><b class='flag-5'>隙</b>钙钛矿可实现高效钙钛矿/硅叠层太阳能电池

    宽带功率半导体双脉冲测试解决方案

    完成,但自动化可加快流程并有助于获得准确、一致的结果。 宽带双脉冲测试软件集成到 5 系列 B MSO 中,可自动执行仪器设置并执行能量损耗和定时的标准测量。智能差分电压和电流探头通过与示波器通信进一步简化设置。 该系统提供以下功能: 独特的边缘细化算
    的头像 发表于 09-30 08:57 172次阅读
    <b class='flag-5'>宽带</b><b class='flag-5'>隙</b>功率半导体双脉冲测试解决方案

    Nexperia斥资2亿美元加速汉堡工厂宽带(WBG)半导体研发与生产

    全球领先的半导体制造商Nexperia今日宣布将投入高达2亿美元(折合约1.84亿欧元)的资金,以显著扩大其位于德国汉堡工厂的宽带(WBG)半导体研究、开发及生产能力。此次投资的核心聚焦于下一代
    的头像 发表于 07-15 17:02 278次阅读
    Nexperia斥资2亿美元加速汉堡工厂<b class='flag-5'>宽带</b><b class='flag-5'>隙</b>(WBG)半导体研发与生产

    SiC与GaN 功率器件中的离子注入技术挑战

    中产生选择性掺杂的主要方法。将其用于宽带器件处理时存在一些挑战。在本文中,我们将重点介绍其中的一些,同时总结它们在GaN功率器件中的一些潜在应用。01
    的头像 发表于 04-29 11:49 967次阅读
    SiC与GaN 功率<b class='flag-5'>器件</b>中的离子注入技术挑战

    SiC器件工作原理与优势

    碳化硅是一种宽带半导体材料,具备高电子迁移率、高热导率以及高击穿电场强度等特点。这些特性使得SiC器件在高温、高电压和高频率下依然能够稳定工作,同时比传统硅基器件体积更小,效率更高,
    发表于 04-18 11:02 602次阅读
    SiC<b class='flag-5'>器件</b>工作原理与优势

    碳化硅功率器件特性及基本原理

    碳化硅是一种宽带(Wide Bandgap,WBG)半导体材料,与传统的硅(Si)材料相比,具有更宽的能、更高的击穿电场强度和热导率。
    发表于 03-19 11:12 533次阅读

    探讨碳化硅功率器件的工作原理、优势、应用场景

    碳化硅功率器件利用SiC半导体材料制成。SiC是一种宽带半导体材料,具有比硅(Si)更高的电子饱和漂移速度和热导率,以及更高的临界击穿电场强度。
    发表于 03-14 10:47 374次阅读
    探讨碳化硅功率<b class='flag-5'>器件</b>的工作原理、优势、应用场景

    宽带半导体重塑交通运输行业

    解决方案(火车、飞机和轮船)。为了控制温室气体 (GHG) 排放并减缓全球变暖,我们需要既能最大限度提高效率,又能减少环境影响的解决方案。 宽带 (WBG) 半导体具备多种特性,使得其对交通运输应用具有很大吸引力。使用这些半导体可以打造更高效、更快速、更轻巧的汽车,
    的头像 发表于 02-13 16:38 999次阅读
    <b class='flag-5'>宽带</b><b class='flag-5'>隙</b>半导体重塑交通运输行业

    关于能带基准源的理解

    看了关于能带基准源的的介绍,其原理是利用了正温度系数的电压产生器和具有负温度系数的电压,从而得到具有零温度系数的基准电压。 第一张图是基本原理图,用左边电流控制右边电流,但是书上说左右两个晶体管
    发表于 01-27 11:56

    Si基GaN器件及系统研究与产业前景

    氮化镓具有优异的材料特性,例如宽带、高击穿场强和高功率密度等。氮化镓器件在高频率、高效率、高功率等应用中具有广阔的应用前景。
    的头像 发表于 12-09 14:45 932次阅读
    Si基GaN<b class='flag-5'>器件</b>及系统研究与产业前景

    产业链垂直整合如何为SiC功率器件工厂赋能?

    由于其宽带和优异的材料特性, SiC基功率电子器件现在正成为许多杀手级应用的后起之秀,例如汽车、光伏、快速充电、PFC等。
    的头像 发表于 12-08 14:33 881次阅读

    新的宽带半导体技术提高了功率转换效率

    新的宽带半导体技术提高了功率转换效率
    的头像 发表于 11-30 18:00 454次阅读
    新的<b class='flag-5'>宽带</b><b class='flag-5'>隙</b>半导体技术提高了功率转换效率

    功率逆变器应用采用宽带半导体器件时,栅极电阻选型注意事项

    本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带半导体器件用作电子开关的优势,以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗,开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大,造成电路
    的头像 发表于 11-27 09:16 429次阅读
    功率逆变器应用采用<b class='flag-5'>宽带</b><b class='flag-5'>隙</b>半导体<b class='flag-5'>器件</b>时,栅极电阻选型注意事项

    功率逆变器应用采用宽带半导体器件时栅极电阻选型注意事项

    功率逆变器应用采用宽带半导体器件时栅极电阻选型注意事项
    的头像 发表于 11-23 16:56 568次阅读
    功率逆变器应用采用<b class='flag-5'>宽带</b><b class='flag-5'>隙</b>半导体<b class='flag-5'>器件</b>时栅极电阻选型注意事项

    使用宽带技术最大限度地提高高压转换器的功率密度

    提高功率密度和缩小电源并不是什么新鲜事。预计这一趋势将持续下去,从而实现新的市场、应用和产品。这篇博客向设计工程师介绍了意法半导体(ST)的电源解决方案如何采用宽带(WBG)技术,帮助推动器件
    的头像 发表于 11-16 13:28 9019次阅读
    使用<b class='flag-5'>宽带</b><b class='flag-5'>隙</b>技术最大限度地提高高压转换器的功率密度