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东芝半导体TCR3RMxxA系列LDO稳压器的功能特性及应用场景

东芝半导体 来源:东芝半导体 作者:东芝半导体 2022-04-26 14:01 次阅读

LDO相信大家都比较熟悉,因其低压差的优势在硬件电路设计中基本上都会有它的身影。传统线性稳压器一般要求输入电压比输出电压至少高出2V至3V,否则就会影响正常工作。这种限制对于硬件研发来说过于苛刻,而且普通LDO体积较大,散热量大,需要大面积PCB散热,这会产生PCB使用空间浪费的问题。如果负载需要的电流较大则相应的压差也需要高一些,小体积LDO虽然体积小,但由于散热有限,电流基本上只能达到一百毫安左右,在一些场合中就不能满足应用需求了。

为了满足可穿戴设备和手机等移动设备的需求,东芝推出了由34款LDO稳压器产品组成的“TCR3RM系列”,旨在为可穿戴智能设备和手机等移动电子设备提供更加稳定的电源

TCR3RMxxA电气特性分析

TCR3RMxxA系列LDO采用CMOS结构,具有开关控制输入,1.8V-5.5V宽电压输入范围,超低压差特性,在2.8V/300mA输出时,压差仅为130mV。具有多种输出电压,最低可至0.9V。输出电流最高可达300mA,同时超低的静态电流仅仅为7μA,具有过流保护,热关断和自动放电等保护功能,采用超小型封装DFN4C/DFN4F(1.0mm×1.0mm;H0.38mm)具体数据参数如图2所示。

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功能特性分析

• 具有开/关控制输入

TCR3RMxxA系列具有开关输入控制,既当CONTROL引脚为高电平时,TCR3RMxxA系列可以正常工作,否则CONTROL引脚为低电平或者悬空状态LDO都是不工作的,这样的好处是既可以控制在TCR3RMxxA系列的后级负载电路的工作状态和功耗情况,也可以保证其功耗可以降至最低,十分适合电池供电的产品使用。

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• 具有低输出电压噪声,超高纹波抑制比

在普通的LDO稳压器中,当输入电压噪声频率超过1kHz时,频率每升高10倍,纹波抑制比就降低大约20dB。当噪声频率超过100kHz时,频率每升高10倍,纹波抑制比就降低大约40dB。因此,LDO稳压器就不足以消除DC-DC转换器电路或类似电路中产生的频率超过100kHz的噪声。东芝为了解决此问题,在TCR3RMxxA系列做了技术升级,可以提供优异的纹波抑制比和输出噪声电压特性,即使电源的噪声频率超过100kHz,也能够消除掉电路中的噪声。这有助于稳定电源电压,并提供较高的输出电压精度。以下为TCR3RMxxA系列在2.8V输出时测量的高纹波抑制比和低输出噪声电压的数据:

高纹波抑制比100dB(典型值)@1kHz(VOUT=2.8V)

高纹波抑制比93dB(典型值)@10kHz(VOUT=2.8V)

高纹波抑制比68dB(典型值)@100kHz(VOUT=2.8V)

高纹波抑制比68dB(典型值)@1MHz(VOUT=2.8V)

低输出噪声电压(VNO=5μVrms(Typ.)at10Hz≤f≤100kHz)

应用场景

由于TCR3RMxxA系列的体积小,低压差,具有多种保护以及优异的纹波抑制比和输出噪声电压特性,同时TCR3RMxxA系列具有34款输出电压选择,因此完全可以应用于移动设备、IoT、穿戴式设备、摄像头、以及射频电路等。

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东芝在半导体方面深耕多年,在电源方面的研发与制造更是经验丰富,再加上与之配套的成熟的技术支持服务,相信在未来针对低压差线性稳压器产品选型方面,东芝的电源类产品将会为您提供更多的参考价值。

原文标题:小体积大电流,高纹波抑制比LDO助力高密度电路设计

文章出处:【微信公众号:东芝半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

审核编辑:汤梓红

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原文标题:小体积大电流,高纹波抑制比LDO助力高密度电路设计

文章出处:【微信号:toshiba_semicon,微信公众号:东芝半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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