我们想谈谈我们的众多组件之一,这些组件有助于更好地管理人们每天消耗的电力,因此决定专注于VIPe26K。用于 12 W 以下电源的高压转换器凭借其击穿电压 (BV) 高达 1,050 V 的 MOSFET 脱颖而出。因此,与具有 700 V-BV 甚至 800 V-BV 的传统竞争型号相比,该器件可承受更广泛的输入电压范围。VIPer26K 仍然是同类器件中唯一包含具有如此高击穿电压的 MOSFET 的器件,使其成为智能功率计等许多其他应用中的出色器件,这些应用通常消耗很少的功率,但必须处理异常广泛的输入电压范围。
顾名思义,VIPer26K 是 VIPer26 的表亲,VIPer26是一款用于 12 W 电源的电压转换器,搭载 800 V 功率 MOSFET。从硅的角度来看,VIPer26 MOSFET 基于MDmesh K3 功率 MOSFET技术,由于其性价比,它仍然是一个受欢迎的选择。然而,我们注意到业界也需要具有更高击穿电压的型号,这解释了为什么 VIPer26K 很早就获得了设计胜利。新设备从其前身吸取了很多,但它是MDmesh K5的衍生产品,这解释了其更高的击穿电压和与三相电压电源一起工作的能力。让我们来看看是什么让 VIPer26K 与众不同。
VIPer26K 最明显的好处是它可以替代高压加堆叠 FET 架构。传统上,工程师必须堆叠两个具有较低击穿电压的 MOSFET 并添加无源元件才能获得相同的电气性能。此外,VIPer26K 将 MOSFET 和控制器集成在一个屋檐下。因此,设计人员可以大大简化他们的 PCB,这将减少他们的材料清单并通过消除潜在的故障点来提高整体可靠性。例如,当规划一个缓冲电路时,该电路可限制开关模式电源开启时由于漏感引起的电压尖峰,VIPer26K 的 1050 V-BV 意味着工程师可以使用更少的组件,从而受益于整体更小的印刷电路板。
VIPer26K 支持三相电源,这使其成为工业环境中辅助电源的出色工具。该设备在 230 VAC 的待机电源下消耗的功率也低于 30 mW,这意味着它将在 LED 驱动器甚至微控制器的电源中发挥出色的作用,从而大大超过智能电表的领域。该器件还具有多种安全功能,从故障情况后的安全自动重启到过流保护和热关断系统,以防止过热造成任何损坏。最后,由于 PWM 控制器和误差放大器的存在,很容易将 VIPer26K 包含在许多开关模式电源拓扑中,例如隔离反激(次级侧和初级侧调节)、非隔离反激、降压和降压升压。
VIPer26K,海量开发板满足所有拓扑
我们反映了由误差放大器的存在带来的设备的灵活性,以及用户可以选择的开发板的数量。STEVAL-VP26K01B采用降压拓扑,STEVAL-VP26K01F是三输出隔离反激式转换器,而STEVAL-VP26K02F采用与后者相同的拓扑,但提供双输出隔离次级侧调节,STEVAL-VP26K03F提供双输出输出隔离初级侧调节。最后三个为智能电表应用提供变体,而第一个板作为其他更通用应用的参考设计。 STEVAL-VP26K01B 也是一种经济高效的转换器安全特性测试方法,其设计本身符合 EN55022 – B 类 EMI 调节标准,只需使用一个简单的 LC 输入滤波器,使其成为一个很好的起点对于设计师。
STEVAL-VP26K02F 无疑是最常见的开发平台,因为传统上,目标是隔离反激式拓扑的用户会要求次级侧调节。我们还提供 STEVAL-VP26K03F,因为初级侧调节意味着工程师不需要使用光耦合器,从而减少了板上的组件数量,同时仍提供隔离。系统失去了次级侧调节带来的精度。然而,对于许多应用程序来说,性能仍然非常出色,这使得它很容易成为值得的权衡,不仅因为成本,而且因为更少的组件增加了平均故障间隔时间 (MTBF)。希望快速入门的工程师可以找到每块电路板的原理图和材料清单。
审核编辑:郭婷
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