0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

N沟道MOS管ASDM60N200P在工业开关电源的应用

国芯思辰GXSC 来源:国芯思辰GXSC 作者:国芯思辰GXSC 2022-05-27 14:09 次阅读

工业开关电源一般为100W~500W多为24V/12V/48V输入,输出多为12V、5V、3.3V等,一般电路图如下所示分为初级降压电路和输出整流电路。如以下工业开关电源电路图所示,原边的降压电路和输出整流都会用到MOS管,以24V输入,12V/10A输出电源为例,原边和副边的MOS管耐压值必须达到60V及以上,为了提高电源效率,MOS管的导通电阻尽量小。

poYBAGKQaw-APTg0AADuMpdfjiA669.jpg

工业开关电源电路图

安森德的N沟道MOS管ASDM60N200P(替代万代AON6244)的漏源电压最大额定值为60V;在VGS=10V,Tc=25℃条件下的连续漏极电流最大额定值为200A,这一特性可以满足输入或输电压不大于48V的大部分开关电源应用;

ASDM60N200P采用沟槽型工艺,具有极低漏源导通电阻,VGS=10V条件下的漏源导通电阻最大值2.6mΩ,采用TO-263、TO-220封装,具有低栅极电荷特性,这一特性可以极大地降低MOS管的损耗,应用在12V~48V的DC/DC开关电源中,能有效降低开关电源损耗,从而提高电源效率。

pYYBAGKQaxCARoeaAADuCdKv44A362.jpg

ASDM60N200P封装图

ASDM60N200P的单脉冲雪崩能量最大额定值为465mJ,器件在Tc=25℃条件下的功耗最大额定值为280W,可以工作在极大的安全工作区域内。器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃,可以在严苛的温度环境下工作。整体看来ASDM60N200P具有极高的可靠性,应用在工业开关电源项目上,也提高了开关电源的可靠性。

通过以上分析,ASDM60N200P的电气参数和可靠性完全满足几百瓦的工业开关电源应用。

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOS管
    +关注

    关注

    108

    文章

    2395

    浏览量

    66596
  • 工业开关电源

    关注

    0

    文章

    3

    浏览量

    7834
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    MOS开关电源中的应用及作用

    现代电子设备中,开关电源因其高效率、小体积和轻重量而成为电源管理的首选。MOS作为开关电源
    的头像 发表于 11-05 13:48 291次阅读

    30V MOS 60V MOS 100V MOS-5N10N通道MOS-HC5N10 100V5A 低结电容 高性价比

    标记胶带和卷轴 信息 HC5N10 SOT23 HC5N10 3000pc/盘 MOSDCDC恒压/恒流电路中扮演着重要的角色。DC
    发表于 10-11 09:47

    N沟道场效应管P沟道场效应管有什么区别

    N沟道场效应管N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET)和P
    的头像 发表于 09-23 16:38 1279次阅读

    合科泰NMOSHKTG50N03的特性和应用

    电路以及功率电子应用中得到广泛应用,具体包括逻辑门电路、放大器、开关电源、驱动电路等。N沟道制作的MOS
    的头像 发表于 09-13 09:20 404次阅读
    合科泰NMOS<b class='flag-5'>管</b>HKTG50<b class='flag-5'>N</b>03的特性和应用

    场效应N沟道P沟道怎样判断

    场效应(Field-Effect Transistor, FET)的N沟道P沟道是其两种主要类型,它们
    的头像 发表于 08-13 17:08 1322次阅读

    开关电源MOS的主要损耗

    开关电源中的MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体
    的头像 发表于 08-07 14:58 1041次阅读

    合科泰半导体推出一款N沟道MOSHKTQ80N03

    MOS管有N沟道MOSP沟道MOS等,
    的头像 发表于 04-12 11:22 735次阅读
    合科泰半导体推出一款<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>HKTQ80<b class='flag-5'>N</b>03

    场效应怎么区分n沟道p沟道MOS导通条件)

    按材料分可分为结型和绝缘栅型,绝缘栅型又分为耗尽型和增强型,一般主板上大多是绝缘栅型简称MOS,并且大多采用增强型的
    的头像 发表于 03-06 16:52 6432次阅读
    场效应<b class='flag-5'>管</b>怎么区分<b class='flag-5'>n</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>p</b><b class='flag-5'>沟道</b>(<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>导通条件)

    介绍一款用于电机驱动电路的N沟道MOSHKTG90N03

    NMOS作为一种非常常见的MOS,它是由P型衬底和两个高浓度
    的头像 发表于 01-13 10:25 1379次阅读
    介绍一款用于电机驱动电路的<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>HKTG90<b class='flag-5'>N</b>03

    N沟道P沟道怎么区分

    的区分进行详细介绍。 首先,我们需要了解N沟道P沟道的基本概念。N
    的头像 发表于 12-28 15:47 1.1w次阅读
    <b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b>和<b class='flag-5'>P</b><b class='flag-5'>沟道</b>怎么区分

    P沟道MOS导通条件有哪些

    电子设备中。与N沟道MOS相比,P沟道MOS
    的头像 发表于 12-28 15:39 5058次阅读

    n沟道mosp沟道mos详解

    场效应晶体(Field Effect Transistor,FET)是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。根据导电沟道的类型,场效应晶体可以分为n
    的头像 发表于 12-28 15:28 2w次阅读
    <b class='flag-5'>n</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>和<b class='flag-5'>p</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>详解

    采用SOT-23封装的N沟道MOSAO3416,可用于电源管理和LED照明等领域

    表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,漏—源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极G。衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型
    的头像 发表于 12-16 15:55 1392次阅读
    采用SOT-23封装的<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>沟道</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>AO3416,可用于<b class='flag-5'>电源</b>管理和LED照明等领域

    推挽式开关电源2个开关谁先起振

    推挽式开关电源是一种常见的开关电源拓扑结构,其主要由两个开关组成,分别是P沟道
    的头像 发表于 12-08 11:05 1431次阅读

    如何判定一个MOS晶体N沟道型还是P沟道型呢?

    MOS的三个极怎么判定?是N沟道还是P沟道MOS是金属氧化物半导体场效应晶体
    的头像 发表于 11-30 14:24 1400次阅读