0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

如何提高器件和系统的功率密度

科技绿洲 来源:英飞凌工业半导体 作者:英飞凌工业半导体 2022-05-31 09:47 次阅读

功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。我们一路追求单位芯片面积的输出电流能力,实现方法是:

1.减小导通损耗和动态损耗

2.减小寄生电感,发挥芯片的开关速度

3.提高允许的最高工作结温

4.降低结到壳的热阻Rthjc

芯片技术的发展方向是降低导通损耗和动态损耗。封装的发展方向减小寄生电感,允许芯片快速开关而不震荡;提高封装工艺的可靠性,提高功率周次和温度周次,就是说提高器件结温的同时也要保证器件的寿命,同时要提高散热能力,降低结到壳的热阻Rthjc。

poYBAGKVc1aAGrpIAAAUmpfecrg004.png

在式子中可以看出,技术的进步提高了Tvj,降低了Rthjc,这样就允许器件承受更大的损耗Vce*Ic,也就是说允许芯片上的发热量更大。

下面做一个有趣的对比,与太阳比功率密度。

英飞凌出场的是明星产品

EconoDUAL™3,FF900R12ME7_B11,

900A 1200V IGBT7。

FF900R12ME7_B11的功率密度

第一种工况:

求解FF900R12ME7_B11 IGBT模块在管壳温度80度下,芯片的功率密度。把上式变形一下:

poYBAGKVc16ACWS7AAAcpSafH_w750.png

900A 1200V芯片在管壳温度为80度下,允许的功耗为1549瓦,如果在直流情况下,不考虑动态开关损耗,Ptot=Vcesat*Ic,由于饱和压降典型值在1.7V,这时器件集电极电流(没有开关损耗)为911A左右。

由于900A IGBT芯片面积大约为6cm²,得出功率密度为:2.6*10⁶W/m²,这时IGBT7的芯片功率密度比火柴火焰高一个数量级,比电熨斗功率密度高9个数量级!!!

第二种工况短路:

把IGBT接在900V直流母线上,进行第一类短路实验。短路时母线电压是900V,在8us内,短路电流可达3200A以上,这时瞬时功率高达P=900V*3200A=2.88MW!!!

同理算出这时芯片的功率密度高达4.8*10⁹ W/m²,这比太阳表面的功率密度5.0*10⁷W/m²还高2个数量级!!!

poYBAGKVc2eAXdXsAAC8zTd7tKU209.png

注:

1.一根火柴的质量约为0.065g,木材的热值约为1.2×107J/kg,假设火苗截面积100mm2,火柴15秒烧完。

2.人体运动发热取中值200W,人体表面积按照许文生氏公式:体表面积(m2)=0.0061×身高(cm)+0.0128×体重(kg)-0.1529

IGBT的温度

系统设计中IGBT的工作结温普遍高于水的沸点100℃,设计目标是150℃,瞬态高达175℃。在氢燃料电池的冷却水泵中,驱动器中IGBT的冷却液温可能是95度,在这样恶劣工作条件下,也要满足车辆的行驶公里数和使用年限,对IGBT的可靠性和寿命要求很高

高功率密度的挑战

由于电力电子系统设计中对功率半导体的工作温度和功率密度要求非常高,这对于芯片工艺和封装工艺设计和生产都是很大的挑战。

焊接层

高温和大幅的壳温变化,会造成模块焊接层的机械疲劳而分离,从而使得结到壳的热阻Rthjc,增加,进而失效。

绑定线

有了对比才知道IGBT芯片的功率密度如此之高,现在再来研究一下绑定线的设计规范和电流密度。

在模块的数据手册中有一个不太引人注目的参数,模块引线电阻,即端子到芯片的电阻值RCC’+EE’,这阻值对于小电流模块看起来损耗不算太大,但这时的绑定线的电流密度高达254A/mm²,远远高于家庭配电规范中铜线的电流密度6A/mm²。如果按照铝线电流密度2.5A/mm设计900A模块的引线就需要360mm²,这将是一个截面为60*60mm的铝排。

如此高密度的电流反复流过绑定线,会造成绑定线机械应力,使得绑定线开裂等机械损伤。

绑定线一头是连接在IGBT芯片的金属化层上,这是3.2um厚的AlSiCu材料,这连接点也是容易造成机械疲劳的薄弱环节,大的结温变化会造成另一种失效机理是绑定线脱落。

IGC193T120T8RM 200A 1200V

芯片的数据手册

poYBAGKVc3uAGlM4AABGAkyxgjA187.png

封装的效率

模块引线电阻,即端子到芯片的电阻值RCC’+EE’,会造成的损耗,对于中大功率模块是个不小的数值。

EconoDUAL™3 FF900R12ME7模块引线电阻,端子到芯片的电阻值0.8mΩ,900A时压降0.72V,功耗高达648W。

poYBAGKVc4SAGaWkAACMZNy1Ghg183.png

FF900R12ME7电流和引线损耗

如果选择PrimePACK™封装,其最大规格做到了2400A半桥,这样的模块引线电阻小很多,原因是端子采用铜排结构。FF900R12IE4,900A 1200V模块端子到芯片的电阻值0.3mΩ,900A时压降0.27V,功耗仅243W,只有EconoDUAL™3 FF900R12ME7的38%。

所以选择器件时,需要考虑不同封装的特性,以满足系统需求。

结论:

由此看来高功率密度带来的主要问题是造成器件的机械疲劳,影响器件寿命,好在这些寿命机理是已知的,是可以用功率周次和温度周次描述,器件和系统的寿命可以设计的。

为了在风力发电,电动汽车和机车牵引等负载变化大的应用领域评估器件在系统中的寿命,这就需要进一步了解器件的寿命机制和设计方法,英飞凌提供寿命仿真的收费服务。

审核编辑:彭静
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电动汽车
    +关注

    关注

    155

    文章

    11929

    浏览量

    230291
  • 英飞凌
    +关注

    关注

    66

    文章

    2148

    浏览量

    138375
  • 芯片
    +关注

    关注

    453

    文章

    50360

    浏览量

    421619
  • 封装
    +关注

    关注

    126

    文章

    7767

    浏览量

    142696
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    功率密度降压转换器的热性能优化应用报告

    电子发烧友网站提供《高功率密度降压转换器的热性能优化应用报告.pdf》资料免费下载
    发表于 09-13 10:44 0次下载
    高<b class='flag-5'>功率密度</b>降压转换器的热性能优化应用报告

    如何通过创新封装技术提升功率器件性能

    由于对提高功率密度的需求,功率器件、封装和冷却技术面临独特的挑战。在功率转换过程中,高温和温度波动限制了设备的最大
    的头像 发表于 09-03 10:37 272次阅读
    如何通过创新封装技术提升<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>性能

    TPS25981-提高功率密度

    电子发烧友网站提供《TPS25981-提高功率密度.pdf》资料免费下载
    发表于 08-26 09:34 1次下载
    TPS25981-<b class='flag-5'>提高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>

    使用ST60的60 GHz RF毫米波段与现在的WiFi6相比,产品的功率密度如何?

    使用ST60的60 GHz RF毫米波段与现在的WiFi6相比,产品的功率密度如何?
    发表于 03-29 06:54

    如何实现高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发呢?

    为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求,进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全桥 SiC 功率模块设计与开发,提出了一种基于多叠层直接键合铜单
    的头像 发表于 03-13 10:34 1720次阅读
    如何实现高<b class='flag-5'>功率密度</b>三相全桥SiC<b class='flag-5'>功率</b>模块设计与开发呢?

    激光功率密度计算公式

      在处理激光光学时,功率和能量密度是需要理解的两个重要概念。这两个术语经常互换使用,但含义不同。表1定义了与激光光学相关的功率密度、能量密度和其他相关术语。 表1:用于描述激光束和其
    的头像 发表于 03-05 06:30 1906次阅读
    激光<b class='flag-5'>功率密度</b>计算公式

    功率设备提升功率密度的方法

    在电力电子系统的设计和优化中,功率密度是一个不容忽视的指标。它直接关系到设备的体积、效率以及成本。以下提供四种提高电力电子设备功率密度的有效途径。
    的头像 发表于 12-21 16:38 1204次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b>设备提升<b class='flag-5'>功率密度</b>的方法

    使用GaN HEMT设备最大化OBCs的功率密度

    随着电动汽车(EVs)的销售量增长,整车OBC(车载充电器)的性能要求日益提高。原始设备制造商正在寻求最小化这些组件的尺寸和重量以提高车辆续航里程。因此,我们将探讨如何设计、选择拓扑结构,以及如何通过GaN HEMT设备最大化OBCS的
    的头像 发表于 12-17 11:30 994次阅读
    使用GaN HEMT设备最大化OBCs的<b class='flag-5'>功率密度</b>

    最大限度地提高高压转换器的功率密度

    电子发烧友网站提供《最大限度地提高高压转换器的功率密度.doc》资料免费下载
    发表于 12-06 14:39 308次下载

    功率半导体冷知识:功率器件功率密度

    功率半导体冷知识:功率器件功率密度
    的头像 发表于 12-05 17:06 723次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b>半导体冷知识:<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率密度</b>

    采用IGBT7高功率密度变频器的设计实例

    采用IGBT7高功率密度变频器的设计实例
    的头像 发表于 12-05 15:06 986次阅读
    采用IGBT7高<b class='flag-5'>功率密度</b>变频器的设计实例

    使用集成 GaN 解决方案提高功率密度

    使用集成 GaN 解决方案提高功率密度
    的头像 发表于 12-01 16:35 468次阅读
    使用集成 GaN 解决方案<b class='flag-5'>提高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>

    通过GaN电机系统提高机器人的效率和功率密度

    通过GaN电机系统提高机器人的效率和功率密度
    的头像 发表于 11-29 15:16 532次阅读
    通过GaN电机<b class='flag-5'>系统</b><b class='flag-5'>提高</b>机器人的效率和<b class='flag-5'>功率密度</b>

    提高4.5kV IGBT模块的功率密度

    提高4.5kV IGBT模块的功率密度
    的头像 发表于 11-23 15:53 900次阅读
    <b class='flag-5'>提高</b>4.5kV IGBT模块的<b class='flag-5'>功率密度</b>

    非互补有源钳位可实现超高功率密度反激式电源设计

    非互补有源钳位可实现超高功率密度反激式电源设计
    的头像 发表于 11-23 09:08 602次阅读
    非互补有源钳位可实现超高<b class='flag-5'>功率密度</b>反激式电源设计