0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

22nm互连的光刻蚀刻后残留去除的挑战和新方法

华林科纳半导体设备制造 来源:华林科纳半导体设备制造 作者:华林科纳半导体设 2022-05-31 16:51 次阅读

本文描述了我们华林科纳研究去除金属硬掩模蚀刻后光致抗蚀剂去除和低k蚀刻后残留物去除的关键挑战并概述了一些新的非等离子体为基础的方法。

随着图案尺寸的不断减小,金属硬掩模(MHM)蚀刻后留下的光刻抗蚀剂更难去除,因为没有或只有很小部分的光刻抗蚀剂(PR)没有交联的,采用MHM模式,干燥的PR带通常会导致低k材料的顶角的第一类等离子体损伤,延伸到MHM层的边缘下方,这个受损的区域在随后的清洗中很容易受到攻击,从而产生具有非平面顶部表面的介电线,这反过来又会导致严重的线间电容和隔离问题,因此探索了替代的非等离子体途径来去除MHM上的PR。

通过UV预处理和浸泡在溶解的溶剂中,从MHM中获得了良好的PR去除效果,如下图所示,这一过程去除了整个等离子体修饰的PR和有机BARC层,紫外处理是在222纳米准分子灯在25mW/cm2的真空下进行的,没有有意加热,臭氧是通过以2标准l/分钟总流量的氧气流到臭氧发生器获得的,其出口的臭氧浓度为20w-ppm,这种臭氧和氧气混合物通过溶剂容器底部的扩散器起泡,同时还证明,这三个方面都是必要的:紫外线预处理臭氧和溶剂,通过选择性地消除每一个单独。

pYYBAGKV1yeAS74VAAA8qcL3Ta0681.jpg

首先使用汞探针进行的测量表明,由于单独对部分蚀刻的低k材料进行紫外处理,导致的k值增加小于0.1,这个过程被认为是这样工作的,紫外处理导致PR外壳中C=C结合浓度增加,由FTIR分析解释,这些C=C通过臭氧分解被臭氧氧化,导致聚合物链的断裂,对于存在于交联PR地壳主链中的C=C,这将导致网络的有效破坏,最终使其可溶于碳酸丙烯酯,然而溶剂和臭氧的联合使用可能会引起溶剂的稳定性、混合物的寿命甚至安全性方面的问题,因此,人们继续寻找其他方法。

一种很有前途的替代方案是进行一系列的紫外线照射,然后暴露在90°C的臭氧+水(蒸汽)中,最后在有机溶剂中进行冲洗,臭氧过程如参考文献所述,氧气的总流量为2标准l/分钟,其中臭氧重量浓度为200ppm,这一过程也导致了整个等离子体修饰的PR和有机BARC层的去除,暴露于臭氧+水蒸汽的时间必须限制在大约1分钟,以保持k值增加在0.1,暴露时间越长,k值就越高,这是由于臭氧水体系中活性自由基的存在,与低k材料相比,这些自由基对PR的选择性较低,在其他研究中,也发现了对溶剂基混合物的机械搅拌的附加应用可以增强光阻去除,这可能是声波搅拌或使用高速液体气溶胶喷雾。

在过去,经常尝试过稀释含高频的混合物,一般来说,dHF由于其有机含量而不能完全溶解聚合物,因此,我们考虑了基于溶剂的溶液,由于化学选择性要求非常严格,认为成功的蚀刻后残留物去除程序将不是纯粹的化学程序,而是需要其他物理去除机制的辅助,例如高频声学搅动或使用高速液体气溶胶喷雾,一些溶剂表现出诸如蚀刻后残留物等颗粒重新沉积的倾向,使用超电子搅动也可以有利于防止这种沉积,下图显示了应用于溶剂基混合物的超电子搅拌对整体PER去除的有益效果,当然,机械力的使用需要很好地调整,因为太强的力会导致结构损伤,化学-机械清洗过程不仅应具有适当的化学选择性,而且还应具有机械选择性。

poYBAGKV1yeAAwaEAABSHE0AF5E126.jpg

为了优化机械部件,需要更好地理解结构的机械强度,并评估去除颗粒所需的力,对机械强度的测量和理解将导致建立化学机械清洗工艺的机械规范,这是清洁过程中的一个范式转变,一种基于侧向力AFM的测量方法最近已经成功地应用于硅栅极堆叠线,所得到的值可以被建模来提取失效应力值,采用宽度为90纳米、高度为150纳米的多孔低k材料的分离线进行侧向力原子力显微镜测量,在侧向力为4.5+/-0.5mN时失效的线,从扫描电镜检查可以看出,故障发生在低k线内部,而不是在底部界面。

采用相同的侧向力原子力显微镜技术,测量了直径为125纳米的聚苯乙烯乳胶球的去除力,它被发现在20nN左右,由于这个力几乎比破坏30纳米低k线的估计力低2个数量级,因此确实存在一个进行机械清洗的窗口。

由于优越的润湿和没有表面张力,考虑了尺度的特征,一种有趣的替代方法被提出,称为气体膨胀液体,其性质介于超临界流体和液体浴之间,当气体在高压下引入液体时,当气体掺入时,液体体积膨胀,密度、粘度和表面张力降低,相对于单链脂肪酸,同时保持更多的类液体性质(例如,改进的溶剂强度),这些GXL特性允许通过包含高压气体来调整液体特性,基于TMAH和二氧化碳基的混合物已被成功地使用,在保持k值的同时,成功地从MSQ薄膜中去除PER。

紫外预处理后的臭氧和溶剂处理导致了MHM蚀刻后PR的完全去除,如果适当调整以避免结构损伤,去除溶剂的巨超声搅拌具有有益的效果,以自由基阴离子为基础的臭氧和气体膨胀液体过程显示出良好的PER去除前景。

审核编辑:符乾江

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    455

    文章

    50731

    浏览量

    423195
  • 集成电路
    +关注

    关注

    5387

    文章

    11536

    浏览量

    361656
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    27300

    浏览量

    218138
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    联电宣布22nm技术就绪

    图片来源:联电 12月2日,中国台湾半导体代工厂联电(UMC)宣布,在首次成功使用硅技术之后,其22nm制程技术已准备就绪。 该公司称,全球面积最小、使用22nm制程技术的USB 2.0通过硅验证
    的头像 发表于 12-03 09:59 5009次阅读

    功率和成本减半 Achronix交付先进22nm Speedster22i 系列FPGAs

    Achronix Semiconductor公司宣布将其业界领先的22nm Speedster22i HD1000系列FPGA发运给客户,实现了又一个重大里程碑。22nm Speedster2
    发表于 03-04 13:47 1671次阅读

    蚀刻残留物和光刻胶的去除方法

    (BEOL)蚀刻中,在不去除低k材料的情况下去除抗蚀剂和残留物的选择性是非常具有挑战性的。概述了现状、问题和一些新的
    的头像 发表于 07-04 17:04 9204次阅读
    <b class='flag-5'>蚀刻</b><b class='flag-5'>后</b><b class='flag-5'>残留</b>物和<b class='flag-5'>光刻</b>胶的<b class='flag-5'>去除</b><b class='flag-5'>方法</b>

    22nm平面工艺流程介绍

    今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm
    的头像 发表于 11-28 10:45 1.3w次阅读
    <b class='flag-5'>22nm</b>平面工艺流程介绍

    求大佬分享按键扫描的新方法

    求大佬分享按键扫描的新方法
    发表于 01-17 06:50

    Intel 22nm光刻工艺背后的故事

    Intel 22nm光刻工艺背后的故事 去年九月底的旧金山秋季IDF 2009论坛上,Intel第一次向世人展示了22nm工艺晶圆,并宣布将在2011年下半年发布相关产品。
    发表于 03-24 08:52 1181次阅读

    台积电又跳过22nm工艺 改而直上20nm

    台积电又跳过22nm工艺 改而直上20nm 为了在竞争激烈的半导体代工行业中提供最先进的制造技术,台积电已经决定跳过22nm工艺的研
    发表于 04-15 09:52 988次阅读

    使用湿化学物质去除光刻胶和残留

    在未来几代器件中,去除光刻胶和残留物变得非常关键。在前端线离子注入(源极/漏极、扩展),使用PR来阻断部分电路导致PR基本上硬化并且难以去除
    发表于 03-24 16:03 1235次阅读
    使用湿化学物质<b class='flag-5'>去除</b><b class='flag-5'>光刻</b>胶和<b class='flag-5'>残留</b>物

    刻蚀残留物的去除方法

    (BCB)。蚀刻工艺的固有副产物是形成蚀刻残留物,该残留物包含来自等离子体离子、抗蚀剂图案、蚀刻
    的头像 发表于 06-09 17:24 3095次阅读
    <b class='flag-5'>刻蚀</b><b class='flag-5'>后</b><b class='flag-5'>残留</b>物的<b class='flag-5'>去除</b><b class='flag-5'>方法</b>

    北斗22nm芯片用途是什么?

    在全球范围内,目前共有美国、俄罗斯、中国三个国家拥有完整的卫星导航系统,我们中国的卫星导航系统就是大名鼎鼎的北斗导航系统,这款导航系统采用了一款北斗22nm芯片,那么这款北斗22nm芯片用途是什么呢
    的头像 发表于 06-27 11:56 3178次阅读

    22nm和28nm芯片性能差异

    据芯片行业来看,目前22nm和28nm的芯片工艺技术已经相当成熟了,很多厂商也使用22nm、28nm的芯片居多,主要原因就是价格便宜,那么这两个芯片之间有什么性能差异呢?
    的头像 发表于 06-29 09:47 9938次阅读

    22nm芯片应用在哪些地方?

    我国在半导体行业一直都处于落后状态,不过近几年已经慢慢地开始追赶上来了,在半导体设备这方面,我国的上海微电子已经成功研发出了深紫外光光刻机,这种光刻机能够进行22nm制程工艺的加工,也就是说在
    的头像 发表于 06-29 10:37 2146次阅读

    22nm芯片是什么年代的技术?

    这几年我国频频传出有关22nm芯片的新闻,包括了光刻机、导航定位、蓝牙语音等领域,由此可见22nm技术所能够应用的范围十分广泛,不过目前国际上最先进的制程已近是4nm了,那么
    的头像 发表于 06-29 11:06 5748次阅读

    应对传统摩尔定律微缩挑战需要芯片布线和集成的新方法

    应对传统摩尔定律微缩挑战需要芯片布线和集成的新方法
    的头像 发表于 12-05 15:32 579次阅读
    应对传统摩尔定律微缩<b class='flag-5'>挑战</b>需要芯片布线和集成的<b class='flag-5'>新方法</b>

    光刻胶清洗去除方法

    光刻胶作为掩模进行干法刻蚀或是湿法腐蚀,一般都是需要及时的去除清洗,而一些高温或者其他操作往往会导致光刻胶碳化难以
    的头像 发表于 11-11 17:06 405次阅读
    <b class='flag-5'>光刻</b>胶清洗<b class='flag-5'>去除</b><b class='flag-5'>方法</b>