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C0/C1对晶体稳定性的影响 CL对相噪和起振的影响

KOAN晶振 来源:KOAN晶振 作者:KOAN晶振 2022-06-01 15:04 次阅读

高精密电子仪器和通信系统的应用下,我们需要考虑不同封装(贴片/直插)的石英晶振的电性能参数变化对系统的影响,包括C0/C1, CL,RR。

C0/C1对晶体稳定性的影响

晶体的静态电容C0和动态电容C1大小,与晶片电极面积大小(体积大小)成正比,不同厂家设计C0也有差异。

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同一频率C0/C1的不同会影响振荡电路的稳定性:

C0/C1大,频率上升到标称频率前电抗变大,起振快,频率难调整,但不易受外面杂散电容影响,适合高稳需求;

C0/C1小,频率变量大,易受杂散电容影响,频率温度稳定性变差,但易于CL调整频率。

KOAN晶振建议您:

先求稳后求精准度,要合理控制C0/C1范围,比如49S-25M合理范围280-310.

CL对相噪和起振的影响

负载电容CL是电路中跨接晶体两端的总的有效电容,主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻,与晶体一起决定振荡器电路的工作频率,通过调整负载电容,就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。

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CL大,远端相噪好;CL过大,难调整到标称频率,还容易导致回路阻抗增大,难起振;CL小,容易调整频率,近端相噪好,易起振。

KOAN晶振建议您:

随着晶体小型化发展,谐振器C0变小,我们应相应降低CL。否则会减弱晶体C0电流分流比例。

RR对振幅和激励功率的影响01

同频率晶体的体积越小RR越大,RL晶体加负载电容的谐振阻抗, RL=RR(1+C0/CL)² 。根据其大小,评估振荡电路设计振荡宽限,满足振荡电路的振幅条件和激励功率等级。

02P=I²*RL,可根据电流I的大小评估激励功率等级和匹配相应的限流电阻

I:晶体谐振时流经晶振的电流,与RR成反比

RL:等效电阻

P:实际跨在晶体上的功率。

原文标题:晶体谐振器电性能差异化应用

文章出处:【微信公众号:KOAN晶振】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

审核编辑:汤梓红
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原文标题:晶体谐振器电性能差异化应用

文章出处:【微信号:koan-xtal,微信公众号:KOAN晶振】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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