安森美上桥SmartFET驱动器解决方案-电子发烧友网

上桥SmartFET因其易于使用和高水平的保护而越来越受欢迎。与标准MOSFET一样，SmartFET非常适合各种汽车应用。它们的区别在于内置在上桥SmartFET器件中的控制电路。控制电路持续监控输出电流和器件温度，同时针对电压瞬变和其他意外应用条件提供被动保护。这种主动和被动保护功能的结合确保了稳定可靠的应用方案，延长了器件本身及其所保护的应用负载的使用寿命。

安森美(onsemi)现在提供从45 mΩ到160 mΩ的上桥 SmartFET系列。这些器件是受保护的单通道上桥驱动器，可切换各种负载，如灯泡、螺线管和其他执行器。如表1所示，器件名称表示SmartFET在25°C时的典型RDSOn。下面列出了完整的产品系列：

表1：安森美完整的上桥SmartFET系列

安森美的该系列器件采用SO8封装，小占位，同时提供高功率。45 mΩ至140 mΩ器件的系列引脚布局为设计人员提供了便利，允许一个引脚布局用于各种应用负载。根据特定应用所需的电流水平，只需将一个器件切换到另一个。这些器件驱动12 V汽车接地负载，并提供保护和诊断功能。该系列器件集成了先进的保护功能，如主动浪涌电流管理、带自动重启的过温关断和主动过压钳位。

一个专用的电流检测引脚对输出进行精确的模拟电流监测，并对电池短路、接地短路以及ON和OFF状态的开路负载检测进行故障指示。所有诊断和电流检测功能都由一个主动大电流检测禁用引脚(仅NCV84160)或一个主动大电流检测使能引脚(该系列的所有其他器件)来禁用或启用。

对上桥SmartFET的“最终要求”是切换负载，市场上为此提供了不同的替代方案。例如，继电器已在行业中使用了很长时间，用于切换各种汽车负载，尤其是那些需要大电流激活的负载。随着汽车零部件和组件的重量和尺寸不断减小，已从继电器过渡到半导体开关，占位更小，抗噪能力更强，电磁干扰更低。

上桥SmartFET已成为汽车市场的主流SmartFET配置，取代了通常更简单的下桥SmartFET。图1所示是上桥与下桥SmartFET配置的示例。上桥SmartFET的负载始终接地，通过切换连接到电源，而下桥SmartFET的负载始终连接到电源，通过切换接地。

SmartFET通常安装在控制单元或ECU内。负载线是连接负载和ECU上针式连接器的电缆长度。根据负载类型及其在车辆中的位置，该负载线可能很长，从而增加了底盘接地短路的可能性，这可能对下桥SmartFET配置中的负载造成严重压力。

图1：应用中的上桥开关对比下桥开关

下面的图2显示了安森美的NCV84xxx上桥SmartFET系列的顶层框图和引脚布局。请注意，上桥SmartFET实际上是个NMOS FET，由一个稳压电荷泵，将栅极电压拉高到足以驱动负载的水平。

输入(IN)引脚是个逻辑电平引脚，用于打开和关断控制逻辑/电荷泵以使FET工作。电流检测使能(CS_EN)引脚启用和禁用电流检测功能。电流检测(CS)引脚将一定比例的负载电流检测反馈到微控制器以实时反馈。该引脚是多路复用的;它报告很容易与正常工作区分开来的模拟故障事件，从而使用户能实时检测输出电流或故障情况。电压(VD)引脚直接连接到电池或电源，OUT引脚连接到负载。最后，接地(GND)引脚只是器件的GND。