江苏长晶科技有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体公司。主营二极管、晶体管、MOSFET、IC产品、复合管、可控硅等产品。
现在来谈谈长晶的MOSFET。它是一种可以常使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好;制造工艺简单、辐射强,因而通常被用于放大电路或开关电路。确定MOSFET的主要特性是其漏源电压VDS,或“漏源击穿电压”,这是在栅很短路到源极,漏极电流在250μA情况下,MOSFET所能承受的确保不损坏的高电压。VDS也被称为“25℃下的绝 对 高电压”,但是定要记住,这个绝 对电压与温度有关,而且数据表里通常有一个“VDS温度系数”。在高温下,温度系数会显著改变击穿电压。对正确选择MOSFET同样重要的是理解在导通过程中栅源电压VGS的作用。
总的来说:
1、MOSFET串联等效的栅极和源极电阻的分压作用和栅极电容的影响,造成晶胞单元的VGS的电压不一致,从而导致各个晶胞单元电流不一致,在开通和关断的过程中形成局部过热损坏。
2、快开通和关断MOSFET,可以减小局部能量的聚集,防晶胞单元局部的过热而损坏。开通速度太慢,距离栅极管脚较近的区域局部容易产生局部过热损坏,关断速度太慢,距离栅极管脚较远的区域容易产生局部过热损坏。
3、MOSFET在开通的过程中,RDS(ON)从负温度系数区域向正温度系数区域转化;在其关断的过程中,RDS(ON)从正温度系数区域向负温度系数区域过渡。
长晶采用先 进的沟槽技 术和设计为很好的RDS(on)提供低棚极电荷。其具有高 效率和电流处理能力、负荷开关、 低RDS(on)的高密度单元设计和获得无铅产品的特点,用途很广。
审核编辑:符乾江
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