与传统的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能,已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。并且SiC让设计人员能够减少元件的使用,从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗,从而有助于设计出能够减少CO2排放量的环保型产品和系统。
罗姆在SiC功率元器件和模块的开发领域处于先进地位,这些器件和模块在许多行业的应用中都实现了更佳的节能效果。
此次,作为社会贡献事业的一部分,罗姆向日本京都府捐赠了基于优势领域“功率半导体技术”相关的研究设备。SiC功率元器件,不仅在电动汽车领域,在能源管理和工业设备领域也已作为推动“节能和小型化”的“王牌”被寄予厚望。同时将触角延伸到医疗领域的一大步即将从这里迈出。
工程师们一定迫不及待的想要获取关于罗姆SiC功率元器件的更多信息了,在本次罗姆为大家准备的白皮书中,展示了在实现电源产品的更小型、更低功耗、更高效方面,碳化硅(SiC)所表现出潜力巨大的基本物理特性以及用作二极管、晶体管的使用方法和应用例。
原文标题:视频 | 功率半导体对新一代癌症治疗方法研究的贡献
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