0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

MicroVac卡盘提高薄型高功率RF器件的良率和测试精度

芯睿科技 来源:芯睿科技 作者:芯睿科技 2022-06-21 14:52 次阅读

该MicroVac™卡盘专为正在测试高功率RF放大器(通常为HEMT器件,工作频率高达60 GHz)的客户而设计。这些高电子迁移率晶体管在III / V化合物半导体衬底(GaAs或GaN晶片)上制造,并且用于需要高功率信号传输的商业和军事的各种无线通信产品中。

薄化的晶圆测试

这些高功率RF器件在测试和封装之前需要晶圆减薄。减薄工艺去除器件下方的多余晶片衬底材料,其充当热绝缘体,捕获热量,导致低性能,损坏或破坏的器件。在薄化过程中,晶圆可以减薄到仅50-100微米,这可能导致翘曲,有时晶圆会破裂或破裂成部分晶圆。

稀释设备的测试问题

在将器件切割并组装到封装/散热器中之前,通常在探针台晶片夹盘上利用变薄的晶片执行电测试。当薄的晶圆位于卡盘上时,由于以下原因,在整个薄的晶圆接触区域上均匀地保持真空是至关重要的:

  1. 减少垫损坏/慢速测试。晶片上的不均匀真空压紧导致翘曲晶片具有不同的测试垫高度(PP~50-100μm)。焊盘上的探针触地有时会因过度过载而导致焊盘损坏。为了补偿Z高度变化,必须进行耗时的晶片分析,这会增加测试时间。
  2. 尽量减少设备损坏。晶片上的不均匀真空使得一些区域对于卡盘具有低导热性,因此当对该装置进行电测试时,该装置可能过热,并且被损坏或破坏。
  3. 获得最高精度/设备产量。与上面的第二个类似,晶片上的非均匀真空压紧导致不均匀的散热,这可能限制器件的最大性能。这不仅会产生不准确的数据,而且还可以通过不正确的装箱设备来降低晶圆产量,因为其性能低于封装时的实际性能。

MicroVac技术提高产量

获得专利的MicroVac卡盘技术可在整个晶圆表面提供均匀的真空。改进的真空设计可最大限度地减少泄漏并提供恒定的真空 – 从而实现市场上可获得的最佳薄晶片下拉性能。对于减薄的晶片表面,可以在任何晶片位置实现均匀的探针超程,从而产生可重复的接触和测量结果。

此外,专用的真空设计可以轻松快速地拉下厚度翘曲的晶圆,从而缩短获得高精度数据的时间。晶圆可以变薄,变形或破裂。甚至部分晶片(不覆盖所有卡盘真空孔)也均匀地保持真空,以实现对卡盘的最大设备导热性和均匀的Z高度。

专利MicroVac卡盘的主要特点包括:

  • 整个卡盘上有495个直径为200μm的微孔
  • 高流量内部真空通道设计
  • 镀金表面处理
  • 五个用户可选择的真空区域

由此产生的客户利益是什么?

  • 准确的测量用于横向高功率RF器件
  • 导热系数均匀(更好的DUT统计数据)
  • 改进了薄晶圆处理(统一超行)
  • 最佳翘曲晶圆下拉(减少手动调整)

在测试高性能薄型GaAs和GaN晶圆时,MicroVac技术可实现最高精度的横向RF功率器件性能和良率。

有关MicroVac卡盘的更多信息,请联系我们。

审核编辑:符乾江

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    452

    文章

    50117

    浏览量

    420341
  • RF器件
    +关注

    关注

    0

    文章

    8

    浏览量

    6140
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    金融界:万年芯申请紧凑功率半桥电路器件专利

    据金融界网站近期消息:江西万年芯微电子有限公司申请一项名为“紧凑功率半桥电路器件、PCB板及其制造方法”的专利。金融界消息称,万年芯该项专利摘要显示本发明公开了一种紧凑
    的头像 发表于 10-22 15:16 203次阅读
    金融界:万年芯申请紧凑<b class='flag-5'>型</b><b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率</b>半桥电路<b class='flag-5'>器件</b>专利

    音频信号采集为什么要用专用的CODEC来实现,普通高精度高采样ADC可以吗?

    1、音频信号采集为什么要用专用的CODEC来实现,普通高精度高采样ADC可以吗? 2、音频信号为什么要过采样。只是为了提高采样精度吗?如果只是为了
    发表于 10-21 07:56

    功率半导体器件功率循环测试与控制策略

    功率循环测试是一种功率半导体器件的可靠性测试方法,被列为AEC-Q101与AQG-324等车规级测试
    的头像 发表于 10-09 18:11 189次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b>半导体<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>功率</b>循环<b class='flag-5'>测试</b>与控制策略

    晶圆制造限制因素简述(1)

    。累积等于这个单独电路的简单累积fab计算。请注意,即使有非常的单个站点
    的头像 发表于 10-09 09:50 343次阅读
    晶圆制造<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>限制因素简述(1)

    优可测白光干涉仪:激光陀螺仪提升精度的关键

    激光陀螺仪广泛应用于航空航天、军事防御、海洋勘探、自动驾驶等领域,其高灵敏度、强抗干扰和可靠性源于精密制造技术。优可测白光干涉仪助力激光陀螺仪镜片精度提升,提高生产效率和
    的头像 发表于 09-28 08:06 426次阅读
    优可测白光干涉仪:激光陀螺仪提升<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>与<b class='flag-5'>精度</b>的关键

    功率器件功率循环测试原理详解

    功率半导体器件,特别是绝缘栅双极晶体管(IGBT),在新能源、轨道交通、电动汽车、工业应用和家用电器等诸多应用中都是不可或缺的核心部件。尤其在新能源电动汽车行业的迅猛崛起下,功率半导
    的头像 发表于 08-12 16:31 609次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>功率</b>循环<b class='flag-5'>测试</b>原理详解

    半导体工艺之生产力和工艺

    晶圆实际被加工的时间可以以天为单位来衡量。但由于在工艺站点的排队以及由于工艺问题导致的临时减速,晶圆通常在制造区域停留数周。晶圆等待的时间越长,增加了污染的机会,这会降低晶圆分选。向准时制制造的转变(见后面章节)是提高
    的头像 发表于 07-01 11:18 678次阅读
    半导体工艺之生产力和工艺<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>

    激光切管机卡盘在设计和功能上区别及注意事项

    激光切管机是现代金属加工行业中的重要设备,它能够通过运用高能激光束对金属管材进行精确、高速的切割。下面将具体探析如何选择激光切管机的卡盘:1.卡盘的类型气动卡盘:结构简单、故障低及
    的头像 发表于 06-11 13:52 652次阅读
    激光切管机<b class='flag-5'>卡盘</b>在设计和功能上区别及注意事项

    Bourns推出SRP3212系列大电流屏蔽功率电感器

    Bourns近日宣布推出其 SRP3212 系列大电流屏蔽功率电感器,进一步扩充其丰富的产品线。
    的头像 发表于 02-01 16:26 935次阅读

    氮化镓功率器件结构和原理

    氮化镓功率器件是一种新型的高频功率微波器件,具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率
    的头像 发表于 01-09 18:06 2763次阅读

    三星研发一种用于提高半导体和产能的“智能传感器系统”

    12月26日消息,据韩媒 ETNews 报道,三星电子正在开发自己的“智能传感器系统”,用于对半导体工艺的控制和管理。这项新技术有望提高半导体提高生产率
    的头像 发表于 12-28 10:32 1048次阅读

    如何提高AD9748精度

    关于AD9748精度问题,根据PDF介绍5位开关32路电流总和,低3位为八分之一的每一路Ic,也就是说低三位是决定最小精度分辨的,为什么在使用过程中输入控制字0x8,0x9,0x0
    发表于 12-22 07:50

    如何提高AD采样精度(ZT)?

    如何提高 AD 采样精度 (主要针对高精度测量类的 AD) 1:参考电压需要足够精确,推荐使用外部精准参考电压. 2:如果 PGA 可调,增益系数一般是越小噪声越低.
    发表于 11-27 07:02

    ERS electronic 公司推出功率温度卡盘系统,该系统主要针对嵌入式处理器、DRAM 和 NAND 等应用的晶圆测试

    2023  年  11  月  14  日,半导体制造业提供温度管理解决方案的领导者—— ERS electronic ,现推出 全新高功率温度卡盘系统。该技术针对高端  CPU 、 GPU  和
    的头像 发表于 11-14 14:41 398次阅读
    ERS electronic 公司推出<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率</b>温度<b class='flag-5'>卡盘</b>系统,该系统主要针对嵌入式处理器、DRAM 和 NAND  等应用的晶圆<b class='flag-5'>测试</b>

    氮化镓(GaN)功率器件技术解析

    使用较低的Rds(on)可以降低传导损耗,而使用GaN可以减小芯片尺寸并降低动态损耗。当GaN与铝基异质结构结合时形成二维电子气体(2DEG)的能力导致了备受青睐的电子迁移晶体管(HEMT)功率
    的头像 发表于 11-06 09:39 9036次阅读
    氮化镓(GaN)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>技术解析