该MicroVac™卡盘专为正在测试高功率RF放大器(通常为HEMT器件,工作频率高达60 GHz)的客户而设计。这些高电子迁移率晶体管在III / V化合物半导体衬底(GaAs或GaN晶片)上制造,并且用于需要高功率信号传输的商业和军事的各种无线通信产品中。
薄化的晶圆测试
这些高功率RF器件在测试和封装之前需要晶圆减薄。减薄工艺去除器件下方的多余晶片衬底材料,其充当热绝缘体,捕获热量,导致低性能,损坏或破坏的器件。在薄化过程中,晶圆可以减薄到仅50-100微米,这可能导致翘曲,有时晶圆会破裂或破裂成部分晶圆。
稀释设备的测试问题
在将器件切割并组装到封装/散热器中之前,通常在探针台晶片夹盘上利用变薄的晶片执行电测试。当薄的晶圆位于卡盘上时,由于以下原因,在整个薄的晶圆接触区域上均匀地保持真空是至关重要的:
- 减少垫损坏/慢速测试。晶片上的不均匀真空压紧导致翘曲晶片具有不同的测试垫高度(PP~50-100μm)。焊盘上的探针触地有时会因过度过载而导致焊盘损坏。为了补偿Z高度变化,必须进行耗时的晶片分析,这会增加测试时间。
- 尽量减少设备损坏。晶片上的不均匀真空使得一些区域对于卡盘具有低导热性,因此当对该装置进行电测试时,该装置可能过热,并且被损坏或破坏。
- 获得最高精度/设备产量。与上面的第二个类似,晶片上的非均匀真空压紧导致不均匀的散热,这可能限制器件的最大性能。这不仅会产生不准确的数据,而且还可以通过不正确的装箱设备来降低晶圆产量,因为其性能低于封装时的实际性能。
MicroVac技术提高产量
获得专利的MicroVac卡盘技术可在整个晶圆表面提供均匀的真空。改进的真空设计可最大限度地减少泄漏并提供恒定的真空 – 从而实现市场上可获得的最佳薄晶片下拉性能。对于减薄的晶片表面,可以在任何晶片位置实现均匀的探针超程,从而产生可重复的接触和测量结果。
此外,专用的真空设计可以轻松快速地拉下厚度翘曲的晶圆,从而缩短获得高精度数据的时间。晶圆可以变薄,变形或破裂。甚至部分晶片(不覆盖所有卡盘真空孔)也均匀地保持真空,以实现对卡盘的最大设备导热性和均匀的Z高度。
专利MicroVac卡盘的主要特点包括:
- 整个卡盘上有495个直径为200μm的微孔
- 高流量内部真空通道设计
- 镀金表面处理
- 五个用户可选择的真空区域
由此产生的客户利益是什么?
- 准确的测量用于横向高功率RF器件
- 导热系数均匀(更好的DUT统计数据)
- 改进了薄晶圆处理(统一超行)
- 最佳翘曲晶圆下拉(减少手动调整)
在测试高性能薄型GaAs和GaN晶圆时,MicroVac技术可实现最高精度的横向RF功率器件性能和良率。
有关MicroVac卡盘的更多信息,请联系我们。
审核编辑:符乾江
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