随着物联网时代的到来,人类的生存环境即将被智能电子产品包围,生活也将更加的便利,作为绝大多数电子产品核心组件的芯片,地位也越来越高,已成为大国之间展开较量的新战场。
芯片被誉为现代工业的粮食,体积虽然之后指甲盖大小,却随着制程工艺的更新迭代,已经能够集成几百亿个晶体管,性能有了质的提升。
各国顶级半导体科学家在2021年召开的“IEEE国际芯片导线技术会议”经过长时间的交流,终于确定了延续未来摩尔定律的异质整合方法,采用通孔混合异端金属布线、半镶嵌制程、零通孔结构方案,解决因硅基晶体管数量增多而产生的布线拥塞、讯号迟缓等问题,并将导电性、导热性更好的石墨烯定为2nm及以下制程工艺芯片的关键材料。
台积电将在2nm节点使用全新的nanosheet/nanowire(纳米片/纳米线)晶体管结构取代目前主流的FinFET工艺。
用一个简单的例子来描述新结构:在最早的Planar工艺下,半导体材料如同一张2D平面的白纸;到了FinFET时代,这张白纸被折成了3D的鳍(Fin)状,缩小了闸长。而如今为了放下更多晶体管,半导体材料像积木一样被堆叠起来,就如同高楼大厦一样立体,最终可以容下更多晶体管。
除了解决晶体管密度问题以外,新工艺另一个目的是为了解决高温以及漏电(leakage)现象。
来源:镁客网,科技大表姐综合整理
审核编辑 :李倩
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