据相关消息报道,现阶段台积电正在研发更先进的2nm制程工艺,采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术,计划将会在 2025年实现量产。
在先前,台积电也公布了关于N2工艺技术的相关信息,官方称此工艺技术将会成为首个使用GAAFET晶体管的制程节点。
据了解,N2工艺和N3工艺相比较芯片上的晶体管数量增加一倍,芯片密度增加约1.1倍,随之芯片的性能也会随之翻倍提升。
此前有消息透露称,台积电2nm第一期厂预计将会在2024年底前进行投入生产。在2024年进行风险试产,预计将会在在2025年进行实现量产。
审核编辑:郭婷
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