国产12nm芯片 紫光国芯攻克12nm工艺
中国芯片再度获得冲破，紫光国芯攻克12nm芯片制造工艺，这将代表我国现存技术再次获得了晋升。
12nm芯片制造工艺是在14nm工艺基础上进行改良，和其14nm工艺进行对比的话，12nm芯片对晶体管进行的改造，使其减小尺寸可以达到降低功耗和错误率的目的。此次在存储控制器上的突破，是第一个融入12nm制程的GDDR6存储物理接口，有利于闪存平台的搭建，也大大提高了数据上的传输，能优化带宽高性能的要求。
此次在存储控制器上的技术突破或将意味着中国或许能够在GDDR6领域拥有自己的IP主控芯片，这对我国半导体行业也有着重大意义。
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审核编辑：郭婷
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