IBM宣布制造出全球首款以2nm工艺打造的半导体芯片。该芯片与目前主流的7nm工艺相比,在同等电力消耗下,性能提升45%、能耗降低75%。
据悉,本次IBM所采用的使GAA技术,也就是环绕栅极晶体管技术。根据IBM介绍,这是首次采用底介电隔离通道,可以使实现12nm的栅长,可以减少电流泄漏,有助于减少芯片上的功耗,其内部间隔是第二代干法设计,有助于纳米片的开发。IBM芯片采用了三层GAA纳米片,每片纳米片宽40nm,高5nm,间距44nm,栅极长度12nm。
量产时间方面,根据台积电的规划,N2制程将于2025年量产。按照这个进度,英特尔或将在2nm工艺上实现对于台积电的赶超。此前,英特尔已宣布将会在2024年量产Intel 20A工艺,随后,英特尔又宣布其Intel 18A工艺也将提前到2024年量产。另外,根据台积电最新展示技术路线图显示,在今年下半年台积电第一代3nm(N3)工艺量产之后,除了将推出低成本、低能耗的N3E之外,还将会推出高性能版本的N3P,以及性能和功耗均更具优势的N3X。
根据提供的数据来看,台积电的5nm芯片每平方毫米约有1.73亿个晶体管,三星的5nm芯片每平方毫米约有1.27亿个晶体管,IBM 2nm晶体管密度达到了台积电5nm的2倍,预计比台积电3nm工艺的晶体管密度还要多。
其实,IBM在7nm和5nm领域都具备相当优势的主导权,并均实现量产。不过IBM目前并没有自主的晶圆厂,如果此款2nm工艺的芯片想要顺利落地,也需要三星、Intel等代工厂的帮助。
本文整合自:OFweek、芯智讯
责任编辑:符乾江
-
芯片
+关注
关注
453文章
50360浏览量
421638 -
IBM
+关注
关注
3文章
1749浏览量
74615 -
2nm
+关注
关注
1文章
200浏览量
4497
发布评论请先 登录
相关推荐
评论