EverspinMRAM解决方案供应商推出了用于工业物联网和嵌入式系统的EMxxLX xSPI MRAM非易失性存储器解决方案。该解决方案可以替代SPI NOR/NAND闪存的方案,其读写速度可以高达400MB/s,存储容量在8Mbit和64Mbit之间。
Everspin此款新xSPI产品系列基于扩展的串行外设接口,这是用于非易失性存储设备的最新 JEDEC 标准。提供高性能、多 I/O、SPI 兼容性,并具有高速、低引脚数 SPI 兼容总线接口,时钟频率高达200 MHz。这些持久性内存 MRAM 设备在单个 1.8V 电源上运行,并通过八个 I/O 信号提供高达 400MBps 的读取和写入速度。更多产品相关资料咨询Everspin代理英尚微电子。
xSPI MRAM的主要亮点是400MB/s的读写速度,因为这个速度是NOR或NAND等闪存设备的数倍,在写入方面甚至更高。该产品的其他好处,比如:在编程之前无需擦除、高效写入(比NAND 低10倍,比NOR低200倍),以及可以兼容旧软件的NOR闪存模式。
xSPI MRAM和SPI NOR NAND闪存对比
xSPI MRAM开启了通用存储器应用解决方案的新纪元,取代了 SRAM、BBSRAM、NVSRAM 和 NOR器件等产品,面向工业自动化、过程控制、仿真、汽车和运输、游戏以及更广泛的工业物联网市场。
审核编辑:符乾江
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