全球最大的移动应用解决方案提供商—JSC济州半导体
DRAM主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。
DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的，DRAM也有访问速度较慢，耗电量较大的缺点。与大部分的随机存取存储器（ram）一样，由于存在DRAM中的数据会在电力切断以后很快消失，因此它属于一种易失性存储器设备。
JSC济州半导体是全球最大的移动应用解决方案提供商之一的DRAM厂家。
JSC济州半导体LPDRAM产品线主要包括LPDRAM (KGD)，LPDRAM (SDR/DDR1)，LPDRAM (DDR2)，LPDRAM (DDR4x),产品更新到16Gb的容量，LPDRAM 有几种 Block Refresh PASR（部分阵列自刷新、自动 TCSR（温度补偿自刷新）根据芯片温度改变刷新周期、根据使用情况改变驱动器强度的模式、DPD 深度掉电）模式等。
LPDRAM可为计算设备、手机以及汽车信息娱乐系统提供各种特性和功能。用更低的功耗、更少的时间和空间来设计应用。提供各种低功耗DRAM (LPDRAM)，这些器件具有低功耗、高性能、各种密度选项和宽温度范围，可充分利用各类设计。更多产品相关详情及技术支持、解决方案咨询JSC官方代理英尚微电子。
LPDDR4X产品型号
| Type | Part Number | Density | BUS | Voltage | Max Frequency | Package Type | Status |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LPDDR4x2CHx32 | JSL4BAG329ZAMF-05 | 16Gb | x32 | 1.8V/0.6V | 1866Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x2CHx32 | JSL4BAG329ZAMF-05A | 16Gb | x32 | 1.8V/0.6V | 2133Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x2CHx32 | JSL4A8G329ZAMF-05 | 8Gb | x32 | 1.8V/0.6V | 1866Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x2CHx32 | JSL04A8G329ZAMF-05A | 8Gb | x32 | 1.8V/0.6V | 2133Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x1CHx16 | JSL4B8G168ZAMF-05 | 8Gb | x16 | 1.8V/0.6V | 1866Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x1CHX16 | JSL4B8G168ZAMF-05A | 8Gb | x16 | 1.8V/0.6V | 2133Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x1CHx16 | JSL4A4G168ZAMF-05A | 4Gb | x16 | 1.8V/0.6V | 2133Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x1CHx16 | JSL4A4G168ZAMF-05 | 4Gb | x16 | 1.8V/0.6V | 1866Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
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