上海12nm芯片量产计划与美国有关系吗？
在美国2020年实行的芯片限制政策之下，我国的半导体行业面临着巨大的压力，减小对美国芯片的依赖、抵抗美国的制裁，我国决定加快半导体行业的发展。
2021年初，上海市公布报告称2021年将继续加快芯片行业的发展，争取在2021年实现12nm制程工艺的量产。而在2020年，我国芯片制造龙头企业中芯国际就已经实现了12nm工艺的小规模试产。
2020年12月，中芯国际宣布试产第二代FinFET N+1芯片，该芯片的制程工艺将提升至12nm，各方面性能也有所提高，要知道在2020年初中芯国际才刚刚正式投产14nm生产线，一年内居然直接完成了从14nm向12nm迈进的举措，这样一来上海12nm工艺芯片的量产也不会是很困难的事了。
虽然美国主要是为了打压中国半导体行业才出台了多项政策，但是随着美国对芯片限制的增大，受影响的不再只有中国，就连欧洲也被卷入了这场风波。
受到美国芯片限制政策的影响，欧洲方面决定在欧洲成立一个半导体联盟来共同攻克半导体技术，据了解，欧洲的半导体联盟将在未来两到三年内投入共计1450亿欧元到半导体技术研发当中去。
综合整理自 科技在前方 虹国际 快科技
审核编辑 黄昊宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
459文章
51568浏览量
429760 -
12nm
+关注
关注
0文章
33浏览量
8102
发布评论请先 登录
相关推荐
台积电加大亚利桑那州厂投资，筹备量产3nm/2nm芯片
据最新消息，台积电正计划加大对美国亚利桑那州工厂的投资力度，旨在推广“美国制造”理念并扩展其生产计划。据悉，此次投资将着重于扩大生产线规模，为未来的3
台积电4nm芯片量产
率和质量可媲美台湾产区。 此外；台积电还将在亚利桑那州二厂生产领先全球的2纳米制程技术，预计生产时间是2028年。 台积电4nm芯片量产标志着台积电在美国市场的进一步拓展，也预示着全球
CES亮点：富瀚微发布AI眼镜芯片MC6350
上海富瀚微电子在CES期间发布了智能眼镜芯片MC6350。 据悉MC6350兼具超低功耗、超小尺寸及更优图像效果三大优势， MC6350采用12nm低功耗工艺，而且是超小芯片尺寸；8*
驱动板和屏幕的面板类型有关系吗
驱屏板和屏幕的面板类型有关系吗？明思锐液晶屏方案商告诉你。没有关系！驱屏板和屏幕的接口有关，和面板类型无关。 屏幕面板类型包括oled、IPS、VA和TN，但这些都和显示屏驱动板没什么关系
台积电美国厂预计2025年初量产4nm制程
台积电在美国亚利桑那州的布局正逐步展开，其位于该地的一厂即将迎来重大进展。据悉，该厂将开始生产4nm制程芯片，并预计在2025年初正式实现量产。这一里程碑式的进展标志着台积电在
Rapidus计划建设1.4nm工艺第二晶圆厂
近日，日本先进芯片制造商Rapidus的社长小池淳义透露了一项重要计划。据日媒报道，小池淳义在陪同日本经济产业大臣武藤容治视察Rapidus正在北海道千岁市建设的2nm晶圆厂IIM-1时表示，若2
Rapidus计划2027年量产2nm芯片
Rapidus，一家致力于半导体制造的先锋企业，正紧锣密鼓地推进其2027年量产2nm芯片的计划。然而，这一雄心勃勃的目标背后，是高达5万亿日元（约合336亿美元）的资金需求。
国内首款自主研发28nm显示芯片量产
近日，国内半导体行业迎来重要里程碑，北京显芯科技有限公司成功实现全球首款28纳米内嵌RRAM（阻变存储器）画质调节芯片的量产。这款芯片不仅标志着我国在显示类芯片领域达到了新的半导体工艺
三星将为DeepX量产5nm AI芯片DX-M1
人工智能半导体领域的创新者DeepX宣布，其第一代AI芯片DX-M1即将进入量产阶段。这一里程碑式的进展得益于与三星电子代工设计公司Gaonchips的紧密合作。双方已正式签署量产合同，标志着DeepX的5
芯片晶体管的深度和宽度有关系吗
一、引言 有关系。随着集成电路技术的飞速发展，芯片晶体管作为电子设备的核心元件，其性能的优化和制造技术的提升成为了行业关注的焦点。在晶体管的众多设计参数中，深度和宽度是两个至关重要的因素。它们不仅
传三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成
近日，据韩国媒体报道，三星在其1b nm（即12nm级）DRAM内存生产过程中遇到了良率不足的挑战。目前，该制程的良率仍低于业界一般目标的80%~90%，仅达到五成左右。为了应对这一局面，三星已在上月成立了专门的工作组，致力于迅速提升良率。
AMD计划采用三星3nm GAA制程量产下一代芯片
在近日于比利时微电子研究中心（imec）举办的2024年全球技术论坛（ITF World 2024）上，AMD首席执行官苏姿丰透露了公司的最新技术动向。她表示，AMD将采用先进的3nm GAA（Gate-All-Around）制程技术来量产其下一代
联电携手英特尔开发12nm制程平台，预计2026年完成，2027年量产
今年初，联电与英特尔宣布将携手打造12nm FinFET制程平台，以满足移动设备、通信基础设施及网络市场的高速增长需求。
存内计算——助力实现28nm等效7nm功效
可重构芯片尝试在芯片内布设可编程的计算资源，根据计算任务的数据流特点，动态构造出最适合的计算架构，国内团队设计并在12nm工艺下制造的CGRA芯片，已经在标准测试集上实现了和7
三星电子澄清：3nm芯片并非更名2nm，下半年将量产
李时荣声称，“客户对代工企业的产品竞争力与稳定供应有严格要求，而4nm工艺已步入成熟良率阶段。我们正积极筹备后半年第二代3nm工艺及明年2nm工艺的量产，并积极与潜在客户协商。”
工商网监
评论