摘要
近两年的压电应用越来越广(消费电子和健康医疗应用),被动器件压电片得以优化和提升,所以压电驱动IC的需求也越来越多。这篇文章主要基于DRV2667EVM(集成RAM,支持I2C、PWM/analog 输入)来指导如何快速方便协助客户开展相关评估和验证。
1. DRV2667EVM 测试台搭建
Figure 1. DRV2667EVM 连接图
Figure 2. USB2ANY
将 DRV2667 连接到计算机需要 USB2ANY。即将 USB2ANY 的SDA、SCL 和 GND连接到DVR2667EVM上对应的3个引脚上。USB2ANY 连接到 DRV2667EVM 和PC计算机,用户必须按HCC 界面 “Connect”开始,再通过 GUI 控制他们的设备。
对于GUI HCC(Haptic Control Console)软件调试, USB2ANY默认的code是不能连接HCC的,如果之前没有更新Firmware,需要根据如下链接的6.1节指导来更新Firmware:https://www.ti.com/lit/ug/slou502a/slou502a.pdf
1.2 EVM配置
1.2.2 BOOST电压配置
对应容性负载应用(如Piezo),如果需要比较高的BOOST输出电压,可以把EVM的对应BOOST电压配置上去,避免出现削波和啸叫问题。如下是对应增益和模拟电压输出关系:
8 dB, 50 Vpp
8 dB, 100 Vpp
4 dB, 150 Vpp
7 dB, 200 Vpp
以200Vpp输出为例,具体EVM操作如下:
1)长按(+) 按键,直到所有LEDs 闪烁
2)重复第一步
3)不断按压 (+) ,直到M0, M1, M2三个LEDs灯常亮,注意此处不是长按
4) 按压 B4 (这里需要注意的是,B4将电压提高以后会导致板子静态电容noise变大,可以通过寄存器配置,让器件在静态下进入standby模式即可降低噪声)
此时,EVM的处于最大BOOST输出电压为105V 和40 dB 增益状态,可以再通过调节增益来控制输出的Vpp 大小.
Figure 3. 浅蓝色为BOOST电压(105V),红色为Vpp, (约8nF电容负载)
1.3 HCC配置
DRV2667共有3个工作模式可供选择:内部触发(Internal Trigger)、外部模拟(External Analog Input)和 FIFO Playback。在外部模拟模式下,波形必须输入到设备,EVM可以通过3.5mm音频线从外部设配提供信号输入(如Figure 1.)。
Figure 4. DRV2667的Front-End Interface
在 FIFO playback模式下,用户可以通过调整设置来控制设备,相对简单。 为了操作内部触发 RAM 模式,用户必须使用 RAM 管理器上传波形,这里介绍一下internal trigger的操作方式:
1)如下Figure 5,在Console界面选择“Internal Trigger” ;然后再在工具栏Tools 里选择“RAM Manager”=>“Advanced” =>“WaveSynthesizer”
Figure 5. DRV2667EVM 连接图
2)Waveform波形编辑和RAM 存储
如Figure 6的“1”~“7”,我们可以编辑对应所需要的波形和振动时间(频率、幅值、单次振动时长、重复振动次数)。
Figure 6. RAM波形制作
审核编辑:汤梓红
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