台积电2nm芯片预计将于2025年实现量产
台积电在北美技术论坛上公开了未来先进制程的信息，其3nm芯片将于2022年内量产，而首次采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术的2nm制程工艺芯片，预计将于2025年实现量产。
台积电2nm芯片于3nm相比，性能提升速度快 10-15%，功耗降低25%-30%，密度增加了1.1倍以上，2nm工艺采用新纳米片晶体管结构，而不是鳍式场效应晶体管结构，GAAFET技术可减少漏电损耗，降低功耗。
台积电或将建成4座12英寸晶圆厂，用于制造2nm芯片，该新工艺未来将广泛应用于各种移动SoC、高性能CPU和GPU等领域。
综合整理自贝果财经、IT之家
审核编辑：汤梓红
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