IBM已开发出全球首个2nm芯片
IBM宣布已开发出全球首个2nm工艺的半导体芯片，采用三层GAA环绕栅极晶体管技术，首次使用底介电隔离通道，其潜在性能和电池续航能力都将得到巨大的提升。
据了解，IBM 2nm芯片的晶体管密度为333.33，几乎是台积电5nm的两倍，能容纳500亿颗晶体管，最小元件比NDA单链还要小。该芯片将比当前最先进的7nm芯片将实现45%性能提升，功耗或可降低75%。
目前，IBM 2nm芯片只是制造出来了而已，距离真正实现量产2nm工艺的芯片仍可能需要数年时间。
综合整理自快科技、Lscssh科技官
审核编辑：汤梓红
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