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NP1205MR 12V p通道增强模式MOSFET

微雨问海棠 来源:微雨问海棠 作者:微雨问海棠 2022-07-06 14:44 次阅读

描述

NP1205MR采用了先进的沟槽技术

提供优良的RDS(ON),低栅电荷和

工作电压低至1.8V。这

该器件适用于作为负载开关或PWM

应用程序。

一般特征

VDS = -12v, id = -5a

RDS(上)(Typ) = 27 mΩ@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 36 mΩ@VGS = -2.5 v

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

PWM程序

负荷开关

SOT-23-3L

pYYBAGLFLjmALHT9AABpqQpHczo050.png

订购信息

poYBAGLFLseAOL7ZAAA2R3BAigU902.png

绝对最大额定值(除非另有说明,TA=25℃)

pYYBAGLFLuCAVXd_AACZNNXZkqU768.png

电特性(除非另有说明,TA=25℃)

poYBAGLFLxKAV5O5AAIXe9vuqCk388.png

热特性

poYBAGLFLzGAegVSAABpRMhuGf4670.png

A.将设备安装在1in2上测量RθJA的值

FR-4板与2oz。铜,在静止的空气环境中与

TA = 25°C。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。

B.功率损耗PD是基于TJ(MAX)=150℃,采用≤10s的结环境热阻。

C.重复额定值,脉宽受结温TJ(MAX)=150°C限制。额定值是基于低频率和职责


审核编辑 黄昊宇

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