NP8P016MR 16V p通道增强模式MOSFET

描述

NP8P016MR采用先进壕沟

技术提供优良的RDS(ON)，低栅

充电和工作的栅极电压低至1.8V。

本装置适用于作为负载开关或中压开关

脉宽调制的应用程序。

一般特征

VDS = -16v, id = -8a

RDS(上)(Typ) = 15米Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 19 mΩ@VGS = -2.5 v

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

PWM程序

负荷开关

包

SOT-23-3L

订购信息

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)

电特性(除非另有说明，TA=25℃)

热特性

A.将设备安装在1in2上测量RθJA的值

FR-4板与2oz。铜，在静止的空气环境中与

TA = 25°C。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。

B.功率损耗PD是基于TJ(MAX)=150℃，采用≤10s的结环境热阻。

C.重复额定值，脉宽受结温TJ(MAX)=150°C限制。额定值是基于低频率和职责

审核编辑 黄昊宇