目前的光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线(Deep Ultraviolet Lithography),EUV是极深紫外线(Extreme Ultraviolet Lithography)。前者采用极紫外光刻技术,后者采用深紫外光刻技术。EUV已被确定为先进工艺芯片光刻机的发展方向。
DUV已经能满足绝大多数需求:覆盖7nm及以上制程需求。DUV和EUV最大的区别在光源方案。duv的光源为准分子激光,光源的波长能达到193纳米。然而,euv激光激发等离子来发射EUV光子,光源的波长则为13.5纳米。
从制程范围方面来谈duv基本上只能做到25nm,Intel凭借双工作台的模式做到了10nm,却无法达到10nm以下。euv能满足10nm以下的晶圆权制造,并且还可以向5nm、3nm继续延伸。
duv和euv光刻机区别还有光路系统不同。
duv:主要利用光的折射原理。其中,浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间,填入去离子水,使得193nm的光波等效至134nm。
euv:利用的光的反射原理,内部必须为真空操作。
文章综合php中文网、科创板日报、浩晨生活馆
编辑:黄飞
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