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NP2305VR 20V p通道增强模式MOSFET

微雨问海棠 来源:微雨问海棠 作者:微雨问海棠 2022-07-08 11:43 次阅读

描述

NP2305VR采用了先进的堑壕技术

提供卓越的RDS(ON)

V

,低栅极电荷和

工作电压低至1.8V。这

该器件适用于作为负载开关或PWM

应用程序。

一般特征

DS = -20 v, ID

R

= -4.2

DS(上)(Typ) = 36 mΩ@VGS = -4.5 v

R DS(上)(Typ) = 49米Ω@VGS

高功率和电流处理能力

= -2.5 v

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

PWM程序

负荷开关

SOT-23

poYBAGLHp1-Ae-P3AABfWO8bOE4182.png

订购信息

poYBAGLHp3WAa0oYAAA2PmK00Vo322.png

绝对最大额定值(除非另有说明,TA=25℃)

pYYBAGLHp4uAemiMAADNqbioZEk148.png

poYBAGLHp5SAdqTuAAA73b5tj2A596.png

热特性

poYBAGLHp6iAc6vPAABShQod2KQ601.png

注:

a:TC = 25℃。b:表面安装在1“x 1”FR4板上。

c:t = 5 s。d:稳态条件下最大为175°c /W。

电特性(除非另有说明,TA=25℃)

poYBAGLHp8CAe6fQAAIf9F1-YKo167.png


审核编辑 黄昊宇

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