这是低正向压降整流器的电路图。一个 TMOS 功率 FET (Q1) 和一个 LM393 比较器提供了一个高效整流器电路。当 V A超过 V B时,U1 的输出变为高电平,Q1 导通。相反,当 V B超过 V A时,比较器输出变为低电平,Q1 不导通。
正向压降由 Q1 的导通电阻和电流 I 决定。MTH40N05 的导通电阻为 0.028 欧姆;对于 I = 10 A,正向压降远小于 0.3 V。通常,最有效的肖特基二极管甚至不会在几百 mV 以下开始导通。
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