NP2301BVR 20V p通道增强模式MOSFET

描述

一般特征

NP2301BVR采用先进的战壕

技术提供优良的RDS(ON)，低栅

在极低电压的情况下进行充电和操作

1.8 v。本装置适用于作为负载开关或

在PWM的应用程序。

VDS = -20 v, ID

R

= -2.4

R

DS(ON)(Typ.)= 86mΩ @VGS =-4.5V

DS(上)(Typ) = 110Ω@VGS

高功率和电流处理能力

= -2.5 v

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

PWM程序

负荷开关

包

SOT-23

订购信息

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)

电特性(除非另有说明，TA=25℃)

注:

a.表面安装在FR4板上，t≤10秒

B.脉冲测试:脉宽≤300μs，占空比≤2%

C.设计保证，不经生产检验

热特性

审核编辑 黄昊宇