描述
NP3401MR采用了先进的沟槽技术
提供优良的RDS(ON),低栅电荷和
工作电压低至2.5V。这
该器件适用于作为负载开关或PWM
应用程序。
一般特征
VDS = -30v, id = -4.2a
RDS(上)(Typ) = 48 mΩ@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 60 mΩ@VGS = -2.5 v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
应用程序
PWM 应用 程序
负荷开关
包
SOT-23-3L
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明,TA=25℃)
电特性(除非另有说明,TA=25℃)
热特性
A.将设备安装在1in2上测量RθJA的值
FR-4板与2oz。铜,在静止的空气环境中与
TA = 25°C。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。
B.功率损耗PD是基于TJ(MAX)=150℃,采用≤10s的结环境热阻。
C.重复额定值,脉宽受结温TJ(MAX)=150°C限制。额定值是基于低频率和职责
循环以保持initialTJ=25°C。
D. RθJA是从结到引线RθJL并引线到环境的热阻抗之和
审核编辑 黄昊宇
-
单片机
+关注
关注
6011文章
44153浏览量
624369 -
MOSFET
+关注
关注
142文章
6692浏览量
210751
发布评论请先 登录
相关推荐
30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET CSD17483F4数据表
![<b class='flag-5'>30V</b> N 沟道 FemtoFET™ <b class='flag-5'>MOSFET</b> CSD17483F4数据表](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
H4012耐压30V降压恒压芯片 30V降12V降5V 支持电流3A
Vishay推出30V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET
30V N沟道沟槽MOSFET PMF250XNE数据手册
![<b class='flag-5'>30V</b> N沟道沟槽<b class='flag-5'>MOSFET</b> PMF250XNE数据手册](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
30V,双N沟道沟槽MOSFET PMGD175XNE数据手册
![<b class='flag-5'>30V</b>,双N沟道沟槽<b class='flag-5'>MOSFET</b> PMGD175XNE数据手册](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
在双电源±15V的供电的状态下,ADG1408的模拟通道能输入30V(相对GND)的模拟电压吗?
如何利用AD5522怎么设计一个正负30V的PPMU?
新洁能NCE30P12S NCE P通道增强模式电源MOSFET民信微
新洁能NCE30P30K NCE P通道增强模式电源MOSFET TO-252-2L民信微
新洁能NCE4435 NCE P通道增强模式电源MOSFET SOP8民信微
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AB/A4/wKgZomU2c-2AfhACAAdPf-aJP0A064.png)
新洁能NCE3407 NCE P通道增强模式电源MOSFET民信微
NCE2301 NCE P通道增强模式电源MOSFET SOT-23民信微
TDM3478 N-通道增强模式MOSFET芯片
![TDM3478 N-<b class='flag-5'>通道</b><b class='flag-5'>增强</b><b class='flag-5'>模式</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>芯片](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/4D/wKgZomTW_WSAXpENAAOyOtYZFPA115.png)
评论